Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror
|
|
| Creator |
Pershyn, Y.P.
Chumak, V.S. Shypkova, I.G. Mamon, V.V. Devizenko, A.Yu. Kondratenko, V.V. Reshetnyak, M.V. Zubarev, E.N. |
|
| Subject |
Физика и технология конструкционных материалов
|
|
| Description |
WC/Si multilayer X-ray mirrors (MXMs) with nominal layers thicknesses of 0.2…30.3 nm (periods: 0.7…38.9 nm) were deposited by direct current magnetron sputtering and studied by X-ray diffraction and cross-sectional transmission electron microscopy (TEM). Carbide and silicon layers are amorphous throughout the studied thickness range. The WC layers interact with Si layers with formation of tungsten silicides (WSi₂, W₅Si₃) and silicon carbide in as-deposited state. The bottom interlayer (WC-on-Si) consists of two subzones of approximately equal thickness. An estimation of the thickness, density, and composition of all layers is made. Based on the experimental data, a five-layer model of the WC/Si MXM structure is suggested.
Методами рентгенівської дифракції та просвічувальної електронної мікроскопії досліджені багатошарові рентгенівські дзеркала (БРД) WC/Si, що виготовлені методом прямоточного магнетронного розпилення з фіксованими швидкостями осадження з номінальними товщинами шарів у діапазоні 0,2…30,3 нм (періоди 0,7…38,9 нм). У всьому діапазоні досліджуваних товщин шари WC та Si являються аморфними. Шари WC та Si взаємодіють з утворенням силіцидів вольфраму (WSi₂, W₅Si₃) та карбіду кремнію в початковому стані. Нижня перемішана зона складається з двох перемішаних підзон приблизно рівної товщини. Зроблена оцінка товщини, щільності та складу всіх шарів. Спираючись на експериментальні результати запропонована п’ятишарова модель будови БРД WC/Si. Методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы особенности роста многослойных рентгеновских зеркал (МРЗ) WC/Si, изготовленных методом прямоточного магнетронного распыления с номинальными толщинами слоев в диапазоне 0,2…30,3 нм (периоды 0,7…38,9 нм). Во всем диапазоне исследуемых толщин слои WC и Si находятся в аморфном состоянии. Установлено взаимодействие слоев WC и Si с образованием силицидов вольфрама (WSi₂, W₅Si₃) и карбида кремния в исходном состоянии. Нижняя перемешанная зона состоит из двух подзон примерно равной толщины. Сделана оценка толщины, плотности и состава всех слоев. На основе определенных параметров предложена пятислойная модель строения МРЗ WC/Si. |
|
| Date |
2018-06-17T10:28:43Z
2018-06-17T10:28:43Z 2018 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror / Y.P. Pershyn, V.S. Chumak, I.G. Shypkova, V.V. Mamon, A.Yu. Devizenko, V.V. Kondratenko, M.V. Reshetnyak, E.N. Zubarev // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 1. — С. 69-76. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
1562-6016 PACS: 61.05.cm, 61.43.Dq, 68.65.Ac, 41.50.+h, 07.85.Fv http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137337 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Вопросы атомной науки и техники
|
|
| Publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
|
|