Запис Детальніше

The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions
 
Creator Malyk, O.P.
 
Subject Characterization and properties
 
Description The processes of the charge carrier scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in ZnₓCd₁₋ₓTe (0x1) and ZnₓHg₁₋ₓTe (x = 0.15) are considered. The temperature dependence of the charge carrier mobility in temperature range 50-360 K are calculated.
Розглянуто процеси розсіяння носія заряду на близькодіючому потенціалі, викликаному взаємодією з полярним та неполярним оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, статичною деформацією, нейтральними та іонізованими домішками в ZnₓCd₁₋ₓTe (0x1) та ZnₓHg₁₋ₓTe (х = 0.15). Розраховано температурні залежності рухливості носія заряду в інтервалі температур 50-360 К.
Рассмотрены процессы рассеяния носителя заряда на близко-действующем потенциале, вызванном взаимодействием с полярным и неполярным оптическими фононами, пьезоэлектрическими и акустическими фононами, статической деформацией, нейтральными и ионизированными примесями в ZnₓCd₁₋ₓTe (0x1) и ZnₓHg₁₋ₓTe (х = 0.15). Рассчитаны температурные зависимости подвижности носителя заряда в интервале температур 50-360 К.
 
Date 2018-06-17T15:43:02Z
2018-06-17T15:43:02Z
2009
 
Type Article
 
Identifier The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions // O.P. Malyk // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 2. — С. 179-182. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.
1027-5495
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137730
 
Language en
 
Relation Functional Materials
 
Publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України