Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization
|
|
Creator |
Barannik, S.V.
Kanischev, V.N. Nizhankovsky, S.V. Stepanenko, A.M. |
|
Subject |
Technology
|
|
Description |
The behavior of the crystal/alumina melt boundary has been studied at the start and final stages of sapphire growing by horizontal directional crystallization. At a constant pulling speed of the crystal into the cold zone, the time dependence of the melt crystallization rate may behave nonmonotonically. The crystallization front oscillations in the initial transient process that was predicted by numerical simulation has been confirmed experimentally.
Вивчено поведінку межі кристал-розплав оксиду алюмінію на початку та в кінці вирощування сапфіру методом горизонтальної направленої кристалізації. Показано, що при постійній швидкості витягування кристала у холодну зону залежність швидкості кристалізації розплаву від часу може бути немонотонною. Одержано експериментальне підтвердження явища коливань фронту кристалізації у початковому перехідному процесі, раніше передбаченого чисельним моделюванням. Изучено поведение границы кристалл-расплав оксида алюминия в начале и конце выращивания сапфира методом горизонтально-направленной кристаллизации. Показано, что при постоянной скорости вытягивания кристалла в холодную зону зависимость скорости кристаллизации расплава от времени может вести себя немонотонно. Получено экспериментальное подтверждение явления колебаний фронта кристаллизации в начальном переходном процессе, ранее предсказанного численным моделированием. |
|
Date |
2018-06-19T17:18:02Z
2018-06-19T17:18:02Z 2009 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization // S.V. Barannik, V.N. Kanischev, S.V. Nizhankovsky, A.M. Stepanenko // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 498-500. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138927 |
|
Language |
en
|
|
Relation |
Functional Materials
|
|
Publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
|
|