Evolution of the pseudogap state in HTSC single crystals ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) doped with Al and Pr
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Evolution of the pseudogap state in HTSC single crystals ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) doped with Al and Pr
|
|
Creator |
Vovk, R.V.
Zavgorodniy, A.A. Obolenskii, M.A. Samoilov, A.V. Biletskiy, Y.V. Pinto Simoes, V.M. |
|
Subject |
Characterization and properties
|
|
Description |
Studied has been the effect of oxygen deficiency as well as of a low (up to 5 %) Al and Pr doping on conductivity in the basis plane of the ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) HTSC single crystals. The excess conductivity Δσ(T) of the studied samples has been found to show an exponential character in a wide temperature range Tf
Досліджено вплив кисневого дефіциту, а також слабкого (до 5 %) допування алюмінієм і празеодимом на провідність у базисній площині ВТНП-монокристалів ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Но). Встановлено, що надлишкова провідність Δσ(T) зразків у широкому інтервалі температур Tf Исследовано влияние кислородного дефицита, а также слабого (до 5 %) допирования алюминием и празеодимом на проводимость в базисной плоскости ВТСП-монокристаллов ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Но). Установлено, что избыточная проводимость Δσ(T) образцов в широком интервале температур Tf |
|
Date |
2018-06-19T16:55:57Z
2018-06-19T16:55:57Z 2009 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Evolution of the pseudogap state in HTSC single crystals ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) doped with Al and Pr // R.V. Vovk, A.A. Zavgorodniy, M.A. Obolenskii, A.V. Samoilov, Y.V. Biletskiy, V.M. Pinto Simoes // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 3. — С. 258-265. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.
1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138906 |
|
Language |
en
|
|
Relation |
Functional Materials
|
|
Publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
|
|