Properties of the Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ epitaxial layers grown from the supersaturated melt-solution on dielectric and semiconductor substrates
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Properties of the Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ epitaxial layers grown from the supersaturated melt-solution on dielectric and semiconductor substrates
|
|
| Creator |
Tsarenko, O.N.
Ryabets, S.I. Tkachuk, A.I. |
|
| Description |
The epitaxial layers of Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ quaternary solid solution (thickness of 2 to 11 µm, Nd ≤ 10⁵ сm⁻², n(p) = (0.9 to 8.7)·10¹⁷ сm⁻³ and µₕ = (0.1 to 24)·10³ сm²·V⁻¹·s⁻¹ at T - 80 К), lattice-matched with KCI, BaF₂, Рb₀.₈₀Sn₀.₂₀Те, and РbТе₀.₉₂Sе₀.₀₈ substrates, were grown in a wide composition range by the liquid phase epitaxy technique at a programmed overcooling of supersaturated melt-solution.
Методом рiдинної епiтаксiї при програмному переохолодженнi пересиченого розчину-розплаву на пiдкладках KCI, BaF₂, Рb₀.₈₀Sn₀.₂₀Те, і РbТе₀.₉₂Sе₀.₀₈ у широкому дiапазонi складiв вирощенi iзоперiоднi епiтаксiйнi шари чотирикомпонентних твердих розчинiв Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ товщиною 2/11 мкм з Nd ≤ 10⁵ см⁻², n(p) = (0.9 to 8.7)·10¹⁷ см⁻³ and µₕ = (0.1 to 24)·10³ см²·V⁻¹·s⁻¹ at T - 80 К. Методом жидкофазной эпитаксии при программном переохлаждении пересыщенного раствора-расплава на подложках KCI, BaF₂, Рb₀.₈₀Sn₀.₂₀Те, и РbТе₀.₉₂Sе₀.₀₈ в широком диапазоне составов выращены изопериодные эпитаксиальные слои четырёхкомпонентных твёрдых растворов Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ толщиной 2/11 мкм з Nd ≤ 10⁵ см⁻², n(p) = (0.9 to 8.7)·10¹⁷ см⁻³ и µₕ = (0.1 to 24)·10³ см²·V⁻¹·s⁻¹ at T - 80 К. |
|
| Date |
2018-06-20T05:02:12Z
2018-06-20T05:02:12Z 2005 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Properties of the Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ epitaxial layers grown from the supersaturated melt-solution on dielectric and semiconductor substrates / O.N. Tsarenko, S.I. Ryabets, A.I. Tkachuk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 3. — С. 526-530. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139315 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Functional Materials
|
|
| Publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
|
|