Si as dopant impurity in CdTe
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Si as dopant impurity in CdTe
|
|
| Creator |
Fochuk, P.M.
Panchuk, O.E. |
|
| Description |
CdTe single crystals have been investigated by high-temperature Hall effect meas- urements under Cd vapor pressure in 200-900 ℃ temperature range. Basing on the experimental results, the Si solubility in CdTe at 500-600 ℃ has been supposed to be lower than ≈ 3*10¹⁶ at/cm . The Si segregation coefficient in CdTe is exceeds unity (kₛₑᵣᵍ > 1). This peculiarity of Si behavior in CdTe differs it from other IVA group elements. At high Si content in CdTe (~ 10¹⁷ at/cm³), it is mainly contained in precipitates. Their dissolution starts at Т ~ 500 ℃ and the subsequent cooling does not reduce the concentration of electrically active Si form. The dominating Si point defect is Si+ᶜᵈ , although a certain fraction of this impurity forms associates (Si+ᶜᵈ V²⁻ᶜᵈ ). Монокристали CdTe дослiджено вимiрюваннями ефекту Холла пiд тиском пари Cd в iнтервалi температур 200-900 ℃. На основi експериментальних даних припущено, що розчиннiсть Si менша за ~ 3*10¹⁶ ат/см³ at 500-600 ℃. Коефiцiєнт розподiлу Si у CdTe бiльший за одиницю (kₛₑᵣᵍ > 1), що вiдрiзняє його вiд iнших елементiв IVA пiдгрупи елементiв. При високому вмiстi Si (~ 10¹⁷ ат/см³) переважна його бiльшiсть знаходиться у преципiтатах. Їх розчинення починається при ~500 ℃ i наступне охолодження не зменшує концентрацiю електрично активної форми Si. Домiнуючим точковим дефектом є Si+ᶜᵈ, хоча деяка частина його утворює асоцiати (Si+ᶜᵈ V²⁻ᶜᵈ ). Монокристаллы CdTe были исследованы путем измерениями эффекта Холла под давлением пара Cd в интервале температур 200-900 ℃. На основании экспериментальных результатов предположено, что растворимость Si при 500-600 ℃ меньше, чем ~ 3*10¹⁶ ат/см³. Коэффициент распределения Si в CdTe больше единицы (kₛₑᵣᵍ > 1), что отличает его от других элементов IVA подгруппы. При высоком содержании Si (~ 10¹⁷ ат/см³) большая его часть находится в преципитатах. Их растворение начинается при ~500 ℃ и последующее охлаждение не уменьшает концентрацию электрически активной формы Si. Доминирующим точечным дефектом является Si+ᶜᵈ, хотя некоторая его часть образует ассоциаты (Si+ᶜᵈ V²⁻ᶜᵈ). |
|
| Date |
2018-06-20T05:00:44Z
2018-06-20T05:00:44Z 2005 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Si as dopant impurity in CdTe / P.M. Fochuk, O.E. Panchuk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 771-774. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139311 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Functional Materials
|
|
| Publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
|
|