Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals
|
|
Creator |
Garapyn, I.V.
Hud, I.Z. Pavlyk, B.V. |
|
Description |
The defect structure of Csl-CsBr mixed crystals has been studied by electroconductivity and thermostimulated depolarization current (TSDC) methods. The formation of Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ solid solution is found to be accompanied by increase of conductivity as compared to that of pure Csl. The physical processes causing the appearаnce of TSDC maxima at 300 К and 385 К have been considered. The results obtained evidence the increase of anion vacancy concentration and unchanged concentration of cation vacancies in Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ mixed crystals. Дослiджено дефектну структуру змiшаних кристалiв Csl-CsBr методами електропровiдностi та струмiв термостимульованої деполяризацiї (ТСД). Встановлено, що утворення твердого розчину Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ супроводжується збiльшенням провiдностi порiвняно з провiднiстю чистого Csl. Проаналiзовано фiзичнi процеси, що спричиняють появу максимумiв ТСД при температурах 300 К та 385 К. Одержанi результати свiдчать про пiдвищення концентрацiї анiонних та незмiнну концентрацiю катiонних вакансiй в змiшаних кристалах Csl₀.₉₃Br₀.₀₇. Дефектная структура смешанных кристаллов Csl-CsBr исследована методами электропроводности и токов термостимулированной деполяризации (ТСД). -Установлено, что возникновение твёрдого раствора Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ сопровождается увеличением проводимости по сравнению с проводимостью чистого Csl. Проанализированы физические процессы, обусловливающие возникновение максимумов ТСД при температурах 300 К и 385 К. Полученные результаты свидетельствуют о повышении концентрации анионных и неизменной концентрации катионных вакансий в смешанных кристаллах Csl₀.₉₃Br₀.₀₇. |
|
Date |
2018-06-20T05:02:38Z
2018-06-20T05:02:38Z 2005 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals / I.V. Garapyn, I.Z. Hud, B.V. Pavlyk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 735-737. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139316 |
|
Language |
en
|
|
Relation |
Functional Materials
|
|
Publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
|
|