Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
|
|
| Creator |
Druzhinin, A.A.
Ostrovskii, I.P. Khoverko, Yu.M. Gij, Ya.V. |
|
| Description |
Growth peculiarities of doped Si₁₋ₓGeₓ (х = 0.01-0.05) solid solution whiskers of 1 to 100 µm in diameter in closed bromide system by chemical transport reactions method have been investigated. А dimensional dependence of specific resistance at 300 К has been revealed. The Si₁₋ₓGeₓ (х = 0.05) whiskers of 30 to 70 µm in diameter with dopant concentration in the vicinity of metal-insulator transition were obtained. Substantial changes of the specific resistance and gauge factor of the crystals depending on their diameters has been observed in temperature range 4.2-50 К.
Методом хiмiчних транспортних реакцiй у закритiй бромiднiй системi дослiджено особливостi вирощування легованих ниткоподiбних кристалiв твердого розчину Si₁₋ₓGeₓ (х = 0,01-0,05) рiзного дiаметра (0,1-100 мкм). Встановлено розмiрну залежнiсть питомого опору кристалiв при Т = 300 К. Одержано легованi зразки Si₁₋ₓGeₓ (х = 0,05) рiзного дiаметра (30-70 мкм) з концентрацiєю легуючих домiшок поблизу переходу метал-дiелектрик. Виявлено iстотну змiну їх питомого опору та коефiцiєнта тензочутливостi у температурнiй областi 4,2-50 К в залежностi вiд дiаметра кристалiв. Методом химических транспортных реакций в закрытой бромидной системе исследованы особенности выращивания легированных нитевидных кристаллов твердого раствора Si₁₋ₓGeₓ (х = 0,01-0,05) разного диаметра (0,1-100 мкм). Установлена размерная зависимость удельного сопротивления кристаллов при Т = 300 К. Получены легированные образцы Si₁₋ₓGeₓ (х = 0,05) разного диаметра (30-70 мкм) с концентрацией легирующих примесей вблизи перехода металл-диэлектрик. Обнаружены существенные изменения их удельного сопротивления и коэффициента тензочувствительности в температурной области 4,2-50 К в зависимости от диаметра кристаллов. |
|
| Date |
2018-06-20T05:03:09Z
2018-06-20T05:03:09Z 2005 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method / A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, Ya.V. Gij // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 738-741. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.
1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139317 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Functional Materials
|
|
| Publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
|
|