Effect of stripe domain structure orientation on secondary electron yield
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Effect of stripe domain structure orientation on secondary electron yield
|
|
| Creator |
Melnichuk, I.A.
Vasko, E.I. Melnychuk, P.I. |
|
| Description |
Spatial and angular distributions of secondary electrons emitted from a uniaxial Co film surface with magnetization normal to the surface have been calculated. The electron energy has been chosen within 2 to 5 eV range (the main maximum of the energy spectrum) and at 100 eV (Auger electrons). It has been shown that the regular stripe domain structure must result in an anisotropic spatial distribution of electrons escaped from the surface and reduced secondary electron yield at small escape angles. This phenomenon is similar to the escape blocking effect at the interaction of accelerated particles with single crystals.
Рассчитаны пространственные и угловые распределения вторичных электронов, эмитированных с поверхности одноосной пленки Co с намагниченностью, перпендикулярной поверхности. Энергия электронов выбиралась в интервалах 2-5 эВ (основной максимум энергетического спектра) и 100 эВ (Оже электроны). Показано, что наличие регулярной полосовой доменной структуры должно приводить к анизотропии пространственного распределения электронов, покинувших поверхность и уменьшению выхода вторичных электронов при малых значениях углов вылета. Это явление аналогично эффекту блокировки выхода при взаимодействии ускоренных частиц с монокристаллами. Розраховано просторові та кутові розподіли вторинних єлєктронів, що емітовані з повєрхні одновісної плівки Co з намагніченістю перепендикулярною до поверхні. Енергію електронів вибрано у інтервалах 2-5 еВ (основний максимум енергетичного спектра) та 100 еВ (Оже електрони). Показано, що наявність регулярної смугової доменної структури має приводити до анізотропії просторового розподілу електронів, які вийшли з поверхні та зменшенню виходу вторинних електронів при малих кутах вильоту. Це явище є аналогічним до ефекту блокіровки виходу при взаємодії прискорених часток з монокристалами. |
|
| Date |
2018-06-20T12:52:57Z
2018-06-20T12:52:57Z 2004 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Effect of stripe domain structure orientation on secondary electron yield / I.A. Melnichuk, E.I. Vasko, P.I. Melnychuk // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 3. — С. 476-479. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.
1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139448 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Functional Materials
|
|
| Publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
|
|