Relaxation properties of defect complexes in SrCI₂-TI+ crystals
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Relaxation properties of defect complexes in SrCI₂-TI+ crystals
|
|
| Creator |
Kachan, S.I.
Salapak, V.M. Chornyi, Z.P. Pirko, I.B. Kushnir, T.M. |
|
| Description |
Two maxima are observed in the thermograms of of the thermostimulated depolarization currents of SrCI₂-TI+ crystals have been observed: a low-temperature one (Tm = 107 K, £m = 0.24 eV), caused by the reorientation of Tl+Va+ dipoles, and high-temperature one (Tm = 215 K, £m = 0.46 eV) related to thermal dissociation thereof. TI+Va+-dipoles possess C3V symmetry, that results in splitting of the absorption А-band (1S033 transition) into two components with maxima at 234 and 247 nm. At low-temperature irradiation (T < 140 K), TI+VD+-dipole concentration (at the stage of a crystal coloring saturation) is decreased by 15-20 % as a consequence of charge carrier capture by TI+-ions. На термограммах токов термостимулированной деполяризации кристаллов SrCl2-TI+ наблюдаются два максимума: низкотемпературный (Тт = 107 K, Em = 0.24 эВ), обусловленный реориентацией TI+VD+ — диполей, и высокотемпературный (Tm = 215 K, Ет = 0.46 эВ), обусловленный их термо диссоциацией. TI+VD+-диполи обладают C3v — (Симметрией, что обусловливает расщепление A-полосы поглощения (переход 1s0 3311) на две компоненты с максимумами при 234 и 247 нм. При низкотемпературном облучении (Т < 140 K) концентрация TI+VD+-диполей (на стадии насыщения окрашиваемости кристалла) уменьшается на 15-20 %, что является следствием захвата носителей заряда П+-ионами. На термограмах струмів термостимульованої деполяризації кристалiв SrCI2-TI+ спостерігаються два максимуми: низькотемпературний (Tm = 107 К, Em = 0.24 еВ), зумовлений реорієнтацією Л+У^-диполів, і високотемпературний (Tm = 215 К, Em = 0.46 еВ), зумовлений їх термо дисоціацією. TI+Va+-диполi володіють С^-симетрією, що зумовлює розщеплення A-смуги поглинання (перехід 1S0 3P1) на дві компоненти з максимумами при 234 і 247 нм. При низькотемпературному опроміненні (Т < 140 К) концентрація TI+Va+-диполiв (на стадії насичення забарвлення кристала) зменшується на 15-20 %, що є наслідком захоплення носіїв заряду TI+іїонами. |
|
| Date |
2018-06-20T17:45:28Z
2018-06-20T17:45:28Z 2004 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Relaxation properties of defect complexes in SrCI₂-TI+ crystals / S.I. Kachan, V.M. Salapak , Z.P. Chornyi, I.B. Pirko, T.M. Kushnir // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 684-688. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.
1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139539 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Functional Materials
|
|
| Publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
|
|