Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals
|
|
| Creator |
Ermakov, A.P.
Darinsky, B.M. Drozhzhin, A.I. |
|
| Description |
Experiments on local high-intensity electric current pulse action on mechanical properties of a Si filamentary crystal made it possible to reveal a novel type of electroplastic effect associated with the generation of dislocations.
Эксперименты по локальному высокоинтенсивному воздействию импульсом электрического тока на механические свойства нитевидных кристаллов Si позволили обнаружить новую разновидность электропластического эффекта, связанного с зарождением дислокаций. Експерименти з локального високоінтєнсивного впливу імпульсом електричного струму на механічні властивості ниткоподібного кристалу кремнію дозволили виявити новий різновид електропластичного ефекту, пов’язаного з зародженням дислокацій. |
|
| Date |
2018-06-20T18:06:15Z
2018-06-20T18:06:15Z 2004 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals / A.P. Ermakov, B.M. Darinsky, A.I. Drozhzhin // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 746-750. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.
1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139568 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Functional Materials
|
|
| Publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
|
|