Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
|
|
| Creator |
Talanin, V.I.
Talanin, I.E. |
|
| Description |
The recombination parameters of the point defects dynamics (recombination barrier, recombination time, recombination factor) at high and low temperatures are discussed proceeding from the heterogeneous mechanism of grown-in microdefects formation and transformation. The cooling-induced decomposition of the oversaturated solid solution of point defects in silicon follows two mechanisms: vacancy-type and interstitial-type ones. Therefore, vacancies and intrinsic silicon interstitials find drains in the form of background impurity atoms like oxygen and carbon. The formation of intrinsic point defect-impurity pairs is the dominant process at temperatures near the silicon melting point.
Рассмотрены рекомбинационные параметры модели динамики точечных дефектов (рекомбинационный барьер, рекомбинационное время, рекомбинационный фактор) для высоких и низких температур, исходя из гетерогенного механизма образования и трансформации ростовых микродефектов. Вызванный охлаждением распад пересыщенного твердого раствора точечных дефектов в кремнии протекает по двум механизмам: вакансионному и межузельному. Поэтому вакансии и собственные межузельные атомы кремния находят стоки в виде атомов фоновых примесей, таких как кислород и углерод. Образование пар "собственный точечный дефект - примесь" является доминирующим процессом при температурах, близких к точке плавления кремния. Розглянуто рекомбiнацiйнi параметри моделi динамiки точкових дефектiв (рекомбiнацiйний бар'єр, рекомбiнацiйний час, рекомбiнацiйний фактор) для високих та низьких температур, виходячи з гетерогенного механiзму утворення i трансформацiї ростових мiкродефектiв. 3а рахунок охолодження розпад пересиченого твердого розчину точкових дефектiв у кремнiї вiдбувається за двома маханiзмами: вакансiйним та мiжвузловинним. Тому вакансiї i власнi мiжвузловиннi атоми кремнiю знаходять стоки у виглядi атомiв фонових домiшок, таких як кисень та вуглець. Утворення пар "власний точковий дефект - домiшка" є домiнуючим процесом при температурах, близьких до точки плавлення кремнiю. |
|
| Date |
2018-06-20T18:59:46Z
2018-06-20T18:59:46Z 2006 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals / V.I. Talanin, I.E. Talanin // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 1. — С. 69-73. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.
1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139612 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Functional Materials
|
|
| Publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
|
|