Changes in crystallization conditions when growing large single crystals at melt feeding
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Changes in crystallization conditions when growing large single crystals at melt feeding
|
|
| Creator |
Goriletsky, V.I.
Grinyov, B.V. Sumin, V.I. Tymoshenko, M.M. |
|
| Description |
It has been shown that the dopant concentration fluctuates by volume of different single crystals with the same diameter due to the changes in crystallization front volume. It has been established that the cause of this effect is radiative heat transport from the crystal to the crucible upper part and, then, local changes in thermal conditions near crystallization front. It has been shown that minimal side heater temperature needed for melting of the raw material depends on the ingot length at the moment. An algorithm of the process control is developed providing temperature stabilization in the peripherical circular vessel at the axial growth stage and allowing one to obtain single crystals with uniform dopant distribution with good reproducibility.
Показано, что основной причиной колебания концентрации активатора в объеме разных монокристаллов одинакового диаметра является изменение объема фронта кристаллизации. Установлено, что причиной, приводящей к данному эффекту, является лучистый транспорт тепла от кристалла к элементам верхней части тигля и последующее локальное изменение тепловых условий вблизи фронта кристаллизации. Выявлено, что минимально необходимая температура бокового нагревателя, обеспечивающая плавление сырья, различна при разной длине слитка. Разработан алгоритм управления процессом выращивания, предусматривающий стабилизацию температуры в периферической кольцевой емкости на этапе роста слитка в длину, позволяющий воспроизводимо получать монокристаллы с равномерным распределением активатора. Показано, що основною причиною коливання концентрації активатора в об'ємі Різних монокристалів однакового діаметра, є зміна об'єму фронту кристалізації. Встановлено, що причиною, яка призводить до даного ефекту, є променистий транспорт тепла від кристала до елементів верхньої частини тигля і наступна локальна зміна теплових умов поблизу фронту кристалізації. Виявлено, що мінімально необхідна температура бічного нагрівача, що забезпечує плавлення сировини при різній довжині злитка, виявляється різною. Розроблено алгоритм керування процесом вирощування, що передбачає стабілізацію температури у периферичній кільцевій ємності на етапі зростання злитка в довжину, що дозволяє відтворювано одержувати монокристали з рівномірним розподілом активатора. |
|
| Date |
2018-06-20T18:02:13Z
2018-06-20T18:02:13Z 2004 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Changes in crystallization conditions when growing large single crystals at melt feeding / V.I. Goriletsky, B.V. Grinyov, V.I. Sumin, M.M. Tymoshenko // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 806-809. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.
1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139560 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Functional Materials
|
|
| Publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
|
|