Технологічні особливості формування силіцидного покриття на карбіді кремнію та дисиліциді молібдену
CUNTUR
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Технологічні особливості формування силіцидного покриття на карбіді кремнію та дисиліциді молібдену
Technological characteristics of forming silicide coating on silicon carbide and disilicide molybdenum |
|
| Creator |
Бочар, Ігор Йосипович
Kovbashyn, V. Bochar, I. |
|
| Subject |
керамічні матеріали
силіціювання карбід кремнію дисиліцид молібдену покриття ceramic materials silicon saturation carbide silicon disilicide of molybdenum coverage 621.762 |
|
| Description |
Описано процес силіціювання карбідокремнієвої та дисиліцид молібденової кераміки. Подальше підвищення робочих температур і жорсткіші умови експлуатації нагрівачів вимагають покращення їх фізико-механічних і хімічних властивостей. Одним із напрямів підвищення характеристик електронагрівачів є вдосконалення технології. Встановлено, що насичення кремнієм дозволяє зменшити у понад двічі вміст у неметалевих матеріалах диоксиду кремнію. Силіціювання карбідокремнієвої та дисиліцид молібденової кераміки зменшує у них вміст шкідливих домішок і тим самим покращує їх експлуатаційні характеристики.
The process of carbide silicon and disilicide molybdenum ceramics saturation is described in the article. The subsequent increase of operating temperatures and more severe conditions of heaters operation require the improvement of their physical-mechanical and chemical properties. One of the directions of improving the electric heaters characteristics is the improvement of technology. It was found that the silicon saturation can reduce more than twice the content of non-metallic materials of silicon dioxide. The saturation of silicon, carbide silicon and disilicide of molybdenum ceramics reduces the content of harmful admixtures and thereby improves their performance. The main disadvantage of the silicon carbide and disilicide molybdenum products is their low resistance to high temperature oxidization. To our mind, the promissing method is a method of combination of admixtures in different compounds under chemical-thermal treatment. Thus, the process of silicon-carbide and disilicide molybdenum based non-metal materials saturation with the purpose of disilicide molybdenum recovering, which makes worse the operating parameters of heaters, has been investigated in the paper. Studying of the influence of exposure time on the rate of the silicon saturation of non-metallic materials testified that with the increase of saturation duration from 2 to 12 hours the specific gain of silicon carbide specimens sharply increases, while in the molybdenum disilicide specimens only a slight increase is observed. The saturation of silicon carbide and molybdenum disilicide during more than 12 hours leads to sintering of mixtures, which greatly complicates the removal of specimens. X-ray analysis of silicon carbide and molybdenum disilicide saturation showed that the amount of silicon dioxide in non-metallic materials is reduced by more than 50%. Thus, we consider the diffusive saturation to be the effective way to remove silicon dioxide from the silicon carbide and molybdenum disilicide. |
|
| Date |
2014-12-18T13:37:57Z
2014-12-18T13:37:57Z 2014-09-02 2014-09-02 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Ковбашин В. І. Технологічні особливості формування силіцидного покриття на карбіді кремнію та дисиліциді молібдену / В. Ковбашин, І. Бочар // Вісник ТНТУ — Тернопіль : ТНТУ, 2014. — Том 75. — № 3. — С. 127-131. — (Механіка та матеріалознавство).
Kovbashyn V. Technological characteristics of forming silicide coating on silicon carbide and disilicide molybdenum / V. Kovbashyn, I. Bochar // Bulletin of TNTU — Ternopil : TNTU, 2014. — Volume 75. — No 3. — P. 127-131. — (Mechanics and materials science). 1727-7108 http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/5379 |
|
| Language |
uk
|
|
| Rights |
© „Вісник Тернопільського національного технічного університету“
|
|
| Coverage |
Тернопіль
|
|
| Publisher |
Тернопiльський національний технiчний унiверситет iменi Iвана Пулюя
|
|