Вплив інжектованих неосновних носіїв заряду на параметри діоду з бар'єром Шоттки
CUNTUR
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Вплив інжектованих неосновних носіїв заряду на параметри діоду з бар'єром Шоттки
The influence of the injected minority carriers on the Schottky barrier diodes parameters |
|
| Creator |
Дмитрієв, Вадим
Швець, Євген Dmitriev, Vadiim Shvets, Yevgen |
|
| Contributor |
Запорізька державна інженерна академія, Україна
|
|
| Subject |
621.382/181.4
|
|
| Date |
2016-01-21T14:43:14Z
2016-01-21T14:43:14Z 2015-05-19 2015-05-19 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Дмитрієв В. Вплив інжектованих неосновних носіїв заряду на параметри діоду з бар'єром Шоттки / Вадим Дмитрієв, Євген Швець // Матеріали Міжнародної науково-технічної конференції «Фундаментальні та прикладні проблеми сучасних технологій», 19–21 травня 2015 року — Т. : ТНТУ, 2015 — С. 10-11. — (Фізико-технічні основи розвитку нових технологій).
http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/7186 Dmitriev V., Shvets Y. (2015) Vplyv inzhektovanykh neosnovnykh nosiiv zariadu na parametry diodu z barierom Shottky [The influence of the injected minority carriers on the Schottky barrier diodes parameters]. Materialy Mizhnarodnoi naukovo-tekhnichnoi konferentsii "Fundamentalni ta prykladni problemy suchasnykh tekhnolohii" (Tern., 19–21 travnia 2015 roku), pp. 10-11 [in Ukrainian]. |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Збірник тез доповідей Міжнародної науково-технічної конференції «Фундаментальні та прикладні проблеми сучасних технологій» присвяченої 55-річчю заснування ТНТУ та 170-річчю з дня народження Івана Пулюя
1. Анализ экспресс-методов исследования инжекционных свойств невыпрямляющих контактов / В.С. Дмитрієв, Є.Я. Швець // Sword. – 2013 - вып. 4. - T. 8. -C. 60 - 63. 2. Исследование инжекционных свойств контактов металл-полупроводник /В.С. Дмитриев, Е.Я. Швец, Дмитриева Л.Б. // Матеріали міжнародної науково-практичної конференції «Україна-Польща: діалог культур в контексті єврошнтеграції». - 2014. - Запоріжжя. - ЗДІА. – T. 2. – C. 226 - 228. 3. Развитие физической модели неоднородных контактов металл-полупроводник /В.С. Дмитриев // Materialy X mezinбrodnн vědecko - praktickб konference «Modernн vymoženosti vědy – 2014».-Dнl 39. «Technickй vědy».-Praha. - 2014. - Чехия. - Прага-Publishing House «Education and Science». -T. 39. - C. 3-5. 4. Стриха В.И. Контактные явления в полупроводлниках – К.: Наукова думка, 1982. -224 с. 5. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. Пер.с англ. - М.: Радио и связь. - 208с. 6. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Мир. 1984. – 456 с. 1. Analiz ekspress-metodov issledovaniia inzhektsionnykh svoistv nevypriamliaiushchikh kontaktov, V.S. Dmitriiev, Ye.Ia. Shvets, Sword, 2013 - Iss. 4, T. 8. -P. 60 - 63. 2. Yssledovanye ynzhektsyonnykh svoistv kontaktov metall-poluprovodnyk /V.S. Dmytryev, E.Ya. Shvets, Dmytryeva L.B., Materialy mizhnarodnoi naukovo-praktychnoi konferentsii "Ukraine-Polshcha: dialoh kultur v konteksti yevroshntehratsii", 2014, Zaporizhzhia, ZDIA, T. 2, P. 226 - 228. 3. Razvitie fizicheskoi modeli neodnorodnykh kontaktov metall-poluprovodnik /V.S. Dmitriev, Materialy X mezinbrodnn vědecko - praktickb konference "Modernn vymoženosti vědy – 2014".-Dnl 39. "Technicki vědy".-Praha, 2014, Chekhiia, Praha-Publishing House "Education and Science". -T. 39, P. 3-5. 4. Strikha V.I. Kontaktnye iavleniia v poluprovodlnikakh – K., Naukova dumka, 1982. -224 p. 5. Roderik E.Kh. Kontakty metall-poluprovodnik. Per.s anhl, M., Radio i sviaz, 208p. 6. Zi S. Fizika poluprovodnikovykh priborov, M., Mir. 1984, 456 p. |
|
| Format |
10-11
|
|
| Coverage |
19–21 травня 2015 року
Україна, Тернопіль Ukraine, Ternopil |
|
| Publisher |
ТНТУ
TNTU |
|