Запис Детальніше

Уточнение параметров микроструктуры солнечных элементов на основе арсенида галлия для комбинированой солнечной электростанции

eaDNURT - the electronic archive of the Dnepropetrovsk National University of Railway Transport

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Уточнение параметров микроструктуры солнечных элементов на основе арсенида галлия для комбинированой солнечной электростанции
Уточнення параметрів мікроструктури сонячних елементів на основі арсеніду галію для комбінованої сонячної електростанції
Refinement of Microstructure Parameters of Solar Cells, Based on Gallium Arcenide for Combined Solar Power Plant
 
Creator Габринец, Владимир Алексеевич
Кныш, Людмила И.
Габрінець, Володимир Олексійович
Книш, Людмила І.
Gabrinets, Vladimir A.
Knysh, Ludmila I.
Gabrіnets, Volodimir O.
 
Subject термофотоэлектрическое преобразование
солнечные элементы
арсенид галлия
і-гетеропереход
уравнение Шредингера
термофотоелектричне перетворення
сонячні елементи
арсенід галію
і-гетероперехід
рівняння Шреденгера
КТЕП
termophotoelectric conversion
solar cells
gallium arsenide
i-heterojunction
Schrodinger`s equation
 
Description Кныш, Л. И. Уточнение параметров микроструктуры солнечных элементов на основе арсенида галлия для комбинированной солнечной электростанции / Л. И. Кныш, В. А. Габринец // Альтернативная энергетика и экология. — 2013. — Вып. 3. — С. 66—71.
RU: Проводится выбор типа высокотемпературных солнечных элементов, которые можно использовать при проектировании комбинированных термофотоэлектрических энергоустановок. Предлагается использовать арсенид-галлиевые широкозонные солнечные элементы с і– гетеропереходом. На основе анализа решения уравнения Шреденгера определяется толщина переходной і-зоны, а также концентрация носителей в ней.
UK: Проводиться вибір типу високотемпературних сонячних елементів, які можна використовувати при проектування комбінованих термофотоелектричних енергоустановок. Пропонується використовувати арсенід-галієві широкозонні сонячні елементи з і-гетеропереходом. На основі аналізу розв`язку рівняння Шредінгеру вивчається товщина перехідної і-зоні, а також концентрація носіїв в ній.
EN: Selection of solar cells type for application at design of combined thermophotovoltaic power plants is carried out. The gallium arsenide solar cells with wide-I–haterojunction are proposed to use. Based on the analysis of Schrodinger`s equation the authors determine thickness of I -transition zone, and the carrier concentration in it.
Днепропетровский национальный университет имени Олеся Гончара
 
Date 2014-04-03T12:01:58Z
2014-04-03T12:01:58Z
2013
 
Type Article
 
Identifier http://eadnurt.diit.edu.ua:82/jspui/handle/123456789/2180
 
Language ru_RU
 
Publisher Научно-технический центр "ТАТА", Саров