Метастабильное состояние стеклокерамики Li2O− 11.5GeO2 с повышенной электропроводностью
eaDNURT - the electronic archive of the Dnepropetrovsk National University of Railway Transport
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Метастабильное состояние стеклокерамики Li2O− 11.5GeO2 с повышенной электропроводностью
Метастабільний стан склокераміки Li2O−11.5GeO2 з підвищеною електропровідністю Metastable State of Glass Ceramics of Li2O−11.5GeO2 with Enhanceable Conductivity |
|
Creator |
Нестеров, Александр Александрович
Трубицын, Михаил Петрович Волнянский, Дмитрий Михайлович Нестеров, Олександр Олександрович Трубіцин, Михайло Петрович Волнянський, Дмитро Михайловіч Nesterov, Oleksandr O. Trubitsyn, Mykhailo P. Volnianskyi, Dmytro M. Volnyanskiy, Dmitriy M. |
|
Subject |
стекло
энергия активации полная энергия кристалла скло енергія активації повна енергія кристалу КФ glass energy of activating the total energy of the crystal |
|
Description |
Нестеров, А. А. Метастабильное состояние стеклокерамики Li2O−11.5GeO2 с повышенной электропроводностью / А. А. Нестеров, М. П. Трубицын, Д. М. Волнянский // Физика твердого тела. – 2015. – Т. 57. – Вып. 4. – С. 668-673. RU: Кристаллизация стекла состава Li2O−11.5GeO2 проведена при нагревании и путем изотермической выдержки вблизи температуры расстеклования. В процессе кристаллизации стекла при нагреве изучены тепловые свойства и электропроводность σ в переменном поле. Зависимости σ(T) измерены для образцов Li2O−11.5GeO2, кристаллизация которых осуществлена изотермически. Термическая обработка исходного стеклa позволила получить образцы в промежуточном метастабильном состоянии с повышенной электропроводностью. При T∼500 K электропроводность промежуточного состояния на порядок выше, чем в исходном стекле, и на три порядка выше, чем в случае стеклокерамики, состоящей из кристаллитов Li2Ge7O15 и аморфной фазы GeO2. Предполагается, что увеличение σ в промежуточном состоянии обусловлено проводимостью приповерхностных слоев и определяется наличием большого числа упорядоченных областей с размерами в нанометровом диапазоне. UK: Кристалізація скла складу Li2O−11.5GeO2 проведена при нагріванні і шляхом ізотермічної витримки поблизу температури расстеклования. В процесі кристалізації скла при нагріві вивчені теплові властивості і електропровідність σ в змінному полі. Залежності σ (T ) виміряні для зразків Li2O−11.5GeO2, кристалізація яких здійснена ізотермічно. Термічна обробка початкового склa дозволила отримати зразки в проміжному метастабільному стані з підвищеною електропровідністю. При T∼500 K електропровідність проміжного стану на порядок вища, ніж в початковому склі, і на три порядки вище, ніж у разі склокераміки, що складається з кристалітів Li2Ge7O15 і аморфної фази GeO2. Передбачається, що збільшення σ в проміжному стані обумовлене провідністю приповерхневих шарів і визначається наявністю великого числа впорядкованих областей з розмірами в нанометровому діапазоні. EN: Crystallization of glass of composition of Li2O−11.5GeO2 is conducted at heating and by isothermal self-control near-by the temperature of unglasses. In the process of crystallization of glass at heating studied thermal properties and conductivity σ are in the variable field. Dependences σ(T) are measured for standards Li2O−11.5GeO2, crystallization of that is carried out isothermally. Heat treatment initial of glass allowed to get standards in the transient metastable state with an enhanceable conductivity. At T∼500 K conductivity of the transient state on an order is higher, than in initial glass, and on three orders higher, than in case of glass ceramics consisting of crystals of Li2Ge7O15 and amorphous phase of GeO2. It is assumed that an increase σ in the transient state is conditioned by conductivity of near superficial layers and determined by the presence of large number of well-organized areas with sizes in a nanometer range. Днепропетровский национальный университет им. Олеся Гончара, Днепропетровск |
|
Date |
2015-06-22T12:03:06Z
2015-06-22T12:03:06Z 2015 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
http://eadnurt.diit.edu.ua/jspui/handle/123456789/3884
|
|
Language |
ru_RU
|
|
Publisher |
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук
|
|