Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
|
|
| Creator |
Губа, С.К.
|
|
| Subject |
Материалы для компонентов
|
|
| Description |
Новый низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии позволяет получить изопериодные гетероструктуры In₁₋ᵪGaᵪAs/InP.
The new low temperature isothermic method of the chloride epitaxy allows to obtain isoperiodic heterostructures In₁₋ᵪGaᵪAs/InP. |
|
| Date |
2018-07-15T08:12:16Z
2018-07-15T08:12:16Z 1998 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs / С.К. Губа // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 2. — С. 40-42. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140762 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|