Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
|
|
| Creator |
Новосядлый, С.П.
|
|
| Subject |
Технологические процессы
|
|
| Description |
Разработана технология изготовления КЭС для биполярных интегральных схем без автолегирования и смещения скрытого слоя.
The manufacturing technology of silicon epitaxial structure of bipolar integrated circuits without autodoping and bias of buried layer has been developed. |
|
| Date |
2018-07-15T11:30:41Z
2018-07-15T11:30:41Z 1998 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 23-25. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140778 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|