Програмування пам'яті FLASH–EEPROM мікроконтролерів AVR
Electronic Volodymyr Dahl East Ukrainian National University Institutional Repository
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Програмування пам'яті FLASH–EEPROM мікроконтролерів AVR
|
|
| Creator |
Свербіненко, В.С.
Кардашук, В.С., наук. кер. |
|
| Description |
Відмінною особливістю мікроконтролерів сімейства AVR є те, що в них як пам'ять програм використовується одна і та ж пам'ять FLASH–EEPROM, яка може бути різного об'єму, вільно програмуватись користувачем і знову витиратися електричним способом. Для програмування пам'яті EEPROM мають бути виконані наступні дії: 1. Діждатися закінчення процесу програмування пам'яті EEPROM ( якщо він активний), тобто доки розряд EEWE не повернувся в стан лог. 0. 2. Записати нову адресу в регістр EEAR пам'яті EEPROM (1 байт або 2 байти в разі використання мікроконтролера АТ90С8515). 3. Записати необхідний байт даних в регістр EEDR пам’яті EEPROM. 4. Встановити розряд EEMWE в лог. 1. 5. Впродовж наступних чотирьох періодів такту системи після установки розряду EEMWE в розряд EEWE має бути записана лог. 1, тим самим буде запущений процес програмування. |
|
| Date |
2015-12-22T22:58:28Z
2015-12-22T22:58:28Z 2015 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Свербіненко В.С. Програмування пам'яті FLASH–EEPROM мікроконтролерів AVR / В.С. Свербіненко, В.С. Кардашук // Майбутній науковець – 2015 : матер. всеукр. наук.-практ. конф., м. Сєвєродонецьк, 4 груд. 2015 р. / уклад. В. Ю. Тарасов. – Сєвєродонецьк : СНУ ім. В. Даля, 2015. – С. 72-74.
http://dspace.snu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/169 |
|
| Language |
uk
|
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Publisher |
СНУ ім. В. Даля
|
|