Мікроелектронний сенсор температури на основі транзисторної піроелектричної структури з активним індуктивним елементом
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Мікроелектронний сенсор температури на основі транзисторної піроелектричної структури з активним індуктивним елементом
|
|
| Creator |
Осадчук, Олександр Володимирович
Осадчук, Ярослав Олександрович Семенов, Андрій Олександрович Барабан, Сергій Володимирович Коваль, Костянтин Олегович Клименко, Вадим Андрійович |
|
| Subject |
G01K 7/01
мікроелектронний сенсор сенсор температури контрольно-вимірювальна техніка вимірювання температури транзисторна піроелектрична структура активний індуктивний елемент |
|
| Description |
Мікроелектронний сенсор температури на основі транзисторної піроелектричної структури з активним індуктивним елементом, містить польовий транзистор, індуктивність, конденсатор, перше і друге джерело напруги, при цьому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, а перша вихідна клема та перший вивід індуктивності з'єднаний з стоком польового транзистора, а другий вивід індуктивності з'єднаний з першим виводом конденсатора і першим полюсом другого джерела напруги, при цьому другий вивід конденсатора з'єднаний з другим полюсом другого джерела напруги і другим полюсом першого джерела напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема, польовий транзистор містить напівпровідникову підкладку з областями стоку, витоку і каналу, на якій сформовано шар піроелектрика і електрод затвору, який є чутливим до випромінювання, причому області стоку, витоку і електрод затвору розташовані на одній площині, витік зв'язаний зі стоком через канал, поверхня підкладки вільна від діелектрика і є чутливою до випромінювання, має над областю каналу пази, площа перерізу кожного з яких задовольняє наступне співвідношення: , де - площа перерізу паза; - площа каналу; - число пазів, а діаметр паза і відстань між сусідніми пазами не менше, ніж на порядок перевищує довжину хвилі випромінювання, дно кожного паза покрито шаром піроелектриком і чутливим матеріалом, причому пази виконано з протилежного боку каналу у напівпровідниковій підкладці, крім того пристрій містить біполярний транзистор, при цьому витік польового транзистора і емітер біполярного транзистора з'єднанні між собою, а база біполярного транзистора з'єднана зі стоком польового транзистора та першою вихідною клемою та першим виводом індуктивності, при цьому колектор біполярного транзистора з'єднаний з другим полюсом першого джерела напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема, відрізняється тим, що в якості індуктивності використано активний індуктивний елемент, який складається з другого біполярного транзистора, другого конденсатора, та резистора, при цьому емітер другого біполярного транзистора з'єднаний з першим полюсом другого джерела живлення та першим виводом першого конденсатора, до якого підключений другий вивід резистора, перший вивід другого конденсатора з'єднаний з вихідною клемою, яка з'єднана колектором другого біполярного транзистора, що з'єднаний з базою першого біполярного транзистора, котра з'єднана зі стоком польового транзистора, база другого біполярного транзистора з'єднана з другими виводом другого конденсатора та першим виводом резистора.
|
|
| Date |
2018-07-03T07:33:14Z
2018-07-03T07:33:14Z 2018-06-25 |
|
| Type |
Patent
|
|
| Identifier |
126457
Пат. 126457 UA, МПК G01K 7/01. Мікроелектронний сенсор температури на основі транзисторної піроелектричної структури з активним індуктивним елементом [Текст] / О. В. Осадчук, Я. О. Осадчук, А. О. Семенов, С. В. Барабан, К. О. Коваль, В. А. Клименко (Україна). - № u 2017 12877 ; заявл. 26.12.2017 ; опубл. 25.06.2018, Бюл. № 12. - 6 с. : кресл. http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/22374 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Publisher |
Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)
|
|