Мікроелектронний давач газу
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Мікроелектронний давач газу
Microelectronic gas detector Микроэлектронный датчик наличия газа |
|
| Creator |
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович Осадчук, Владимир Степанович Осадчук, Александр Владимирович Osadchuk, Volodymyr Stepanovych Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych |
|
| Subject |
G01N 27/12
контрольно-вимірювальна техніка давач газу автоматичне керування технологічними процесами мікроелектронний давач |
|
| Description |
Мікроелектронний давач газу, що містить польовий газочутливий транзистор, два джерела постійної напруги, два газочутливих польових транзистори, два резистори і дві ємності. При цьому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора підключений до затвору першого польового газочутливого транзистора, витік якого з'єднаний з витоком другого польового газочутливого транзистора, при цьому стік першого польового газочутливого транзистора підключений до затвору другого польового газочутливого транзистора, до якого підключена перша вихідна клема, затвор і витік третього польового газочутливого транзистора і перший вивід першої ємності, а другий вивід першої ємності з'єднаний з підкладкою третього польового газочутливого транзистора і першим виводом другого резистора, а другий вивід другого резистора підключений до стоку третього польового газочутливого транзистора, першого виводу другої ємності і першого полюса другого джерела постійної напруги, при цьому другий вивід другої ємності з'єднаний з другим полюсом другого джерела постійної напруги, стоком другого польового газочутливого транзистора і другим полюсом першого джерела постійної напруги, що утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема.
Предлагаемый микроэлектронный датчик наличия газа содержит три полевых транзистора, реагирующих на присутствие газа, два источника постоянного напряжения, два резистора и два конденсатора. Выходной контактный зажим первого источника постоянного напряжения соединен с первым выводом первого резистора. Второй вывод первого резистора соединен с затвором первого полевого транзистора. Исток первого полевого транзистора соединен с истоком второго полевого транзистора. Сток первого полевого транзистора соединен с затвором второго полевого транзистора, соединенным с первым выходным контактным зажимом датчика, затвором и истоком третьего полевого транзистора и первым выводом первого конденсатора. Второй вывод первого конденсатора соединен с подложкой третьего полевого транзистора и первым выводом второго резистора. Второй вывод второго резистора соединен со стоком третьего полевого транзистора, первым выводом второго конденсатора и первым выходным контактным зажимом второго источника постоянного напряжения. Второй вывод второго конденсатора соединен со вторым выходным контактным зажимом второго источника постоянного напряжения, стоком второго полевого транзистора, вторым выходным контактным зажимом первого источника постоянного напряжения и вторым выходным контактным зажимом датчика. The proposed microelectronic gas detector contains three gas-sensitive field-effect transistors, two direct-voltage power unit, two resistors, and two capacitors. The output terminal of the first direct-voltage power unit is connected to the first lead of the first resistor. The second lead of the first resistor is connected to the gate of the first field-effect transistor. The source of the first field-effect transistor is connected to the source of the second field-effect transistor. The drain of the first field-effect transistor is connected to the gate of the second field-effect transistor that is connected to the first input terminal of the gas detector, the gate and the source of the third field-effect transistor, and the first lead of the first capacitor. The second lead of the first capacitor is connected to the substrate of the third field-effect transistor and the first lead of the second resistor. The second lead of the second resistor is connected to the drain of the third field-effect transistor, the first lead of the second capacitor, and the first output terminal of the second direct-voltage power unit. The second lead of the second capacitor is connected to the second output terminal of the second direct-voltage power unit, the drain of the second field-effect transistor, the second output terminal of the first direct-voltage power unit, and the second output terminal of the gas detector. |
|
| Date |
2018-06-12T08:35:13Z
2018-06-12T08:35:13Z 2002-08-15 |
|
| Type |
Patent
|
|
| Identifier |
48600 A
Пат. 48600 A UA, МПК G01N 27/12. Мікроелектронний давач газу [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук.(Україна). – № 2001064411 ; заявл. 23.06.2001 ; опубл. 15.08.2002, Бюл. № 8. – 10 с. : кресл. http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/21870 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Publisher |
Державне підприємство "Український інститут промислової власності"(УКРПАТЕНТ)
|
|