Напівпровідниковий вимірювач газу
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Напівпровідниковий вимірювач газу
Semiconductor device for measuring gas content Полупроводниковый измеритель содержания газа |
|
| Creator |
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович Прокопова, Марія Олександрівна Осадчук, Владимир Степанович Осадчук, Александр Владимирович Osadchuk, Volodymyr Stepanovych Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych |
|
| Subject |
G01N 27/12
G01F 1/00 вимірювач газу напівпровідниковий вимірювач контрольно-вимірювальна техніка автоматичне керування технологічними процесами |
|
| Description |
Напівпровідниковий вимірювач газу містить польовий газочутливий транзистор, біполярний транзистор, два джерела постійної напруги, газочутливий резистор, індуктивність, ємність і резистор. Перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора. Другий вивід резистора підключений до бази біполярного транзистора, емітер якого з'єднаний з витоком польового газочутливого транзистора. Затвор з'єднаний з другим виводом газочутливого резистора. При цьому колектор біполярного транзистора підключений до першого виводу газочутливого резистора і першого виводу індуктивності, до якого підключена перша вихідна клема. Другий вивід індуктивності підключений до першого виводу ємності і першого полюса другого джерела постійної напруги. Другий полюс другого джерела постійної напруги з'єднаний з другим виводом ємності, стоком польового газочутливого транзистора і другим полюсом першого джерела постійної напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема.
Предлагаемый полупроводниковый измеритель содержания газа содержит полевой транзистор, чувствительный к содержанию газа, биполярный транзистор, два источника постоянного напряжения, резистор, чувствительный к содержанию газа, катушку индуктивности, конденсатор и постоянный резистор. Первый выходной контактный зажим первого источника постоянного напряжения соединен с первым выводом постоянного резистора. Второй вывод постоянного резистора соединен с базой биполярного транзистора. Эмиттер биполярного транзистора соединен с истоком полевого транзистора. Затвор полевого транзистора соединен с первым выводом резистора, чувствительного к содержанию газа. Коллектор биполярного транзистора соединен со вторым выводом резистора, чувствительного к содержанию газа, первым выводом катушки индуктивности и первым выходным контактным зажимом измерителя. Второй вывод катушки индуктивности соединен с первым выводом конденсатора и первым выходным контактным зажимом второго источника постоянного напряжения. Второй выходной контактный зажим второго источника постоянного напряжения соединен со вторым выводом конденсатора, стоком полевого транзистора, вторым выходным контактным зажимом первого источника постоянного напряжения и вторым выходным контактным зажимом измерителя. The proposed semiconductor device for measuring gas content contains a gas-sensitive field-effect transistor, a bipolar transistor, two direct-current power units, a gas-sensitive resistor, an inductance coil, a capacitor, and a constant resistor. The first output terminal of the first direct-current power unit is connected to the first lead of the constant resistor. The second lead of the constant resistor is connected to the base of the bipolar transistor. Emitter of the bipolar transistor is connected to the source of the field-effect transistor. The gate of the field-effect transistor is connected to the first lead of the gas-sensitive resistor. The collector of the bipolar transistor is connected to the second lead of the gas-sensitive resistor, the first lead of the inductance coil, and the first output terminal of the device. The second lead of the inductance coil is connected to the first input of the capacitor and the first output terminal of the second direct-voltage power unit. The second output terminal of the second direct-voltage power unit is connected to the second lead of the capacitor, the drain of the field-effect transistor, the second output terminal of the first direct-voltage power unit, and the second output terminal of the device. |
|
| Date |
2018-06-12T09:10:54Z
2018-06-12T09:10:54Z 2002-08-15 |
|
| Type |
Patent
|
|
| Identifier |
48601 A
Пат. 48601 A UA, МПК G01N 27/12, G01F 1/00. Напівпровідниковий вимірювач газу [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, М.О. Прокопова (Україна). – № 2001107209 ; заявл. 23.10.2001 ; опубл. 15.08.2002, Бюл. № 8. – 2 с. : кресл. http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/21878 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Publisher |
Державне підприємство "Український інститут промислової власності"(УКРПАТЕНТ)
|
|