Організація та структура матриць пам’яті на базі хсн
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Організація та структура матриць пам’яті на базі хсн
|
|
| Creator |
Слободян, І. В.
|
|
| Subject |
цифрова пам’ять
халькогенідний склоподібний напівпровідник матриці пам’яті digital memory chalcogenide glassy semiconductor memory matrix |
|
| Description |
Розглянуто проблеми створення енергонезалежних цифрових пристроїв зберігання інформації на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника. Запропоновано структурні схеми двовимірної та тривимірної матриці пам’яті. Вказані недоліки та переваги кожного виду матриці. Тривимірну матрицю рекомендовано для реального застосування. In this paper the problems of creating nonvolatile digital storage devices based on chalcogenide vitreous semiconductor are discussed. A structural scheme of two-dimensional and three-dimensional matrix of memory are offered. Advantages and disadvantages of each type of matrix are considered also. The three-dimensional matrix is recommended for real use. |
|
| Date |
2018-04-06T08:41:54Z
2018-04-06T08:41:54Z 2017 |
|
| Type |
Thesis
|
|
| Identifier |
Слободян І. В. Організація та структура матриць пам’яті на базі хсн [Текст] / І. В. Слободян // Міжнародна науково-технічна конференція "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2017)», Вінниця, 28-30 вересня 2017 р. – 2017. – С. 81–83.
http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/19972 621.397 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Relation |
Міжнародна науково-технічна конференція "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2017)», Вінниця, 28-30 вересня 2017 р. : 81-83.
|
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Publisher |
ВНТУ
|
|