Організація та структура матриць пам’яті на базі ХСН
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Організація та структура матриць пам’яті на базі ХСН
|
|
| Creator |
Слободян, І. В.
|
|
| Subject |
цифрова пам’ять
халькогенідний склоподібний напівпровідник матриці пам’яті digital memory chalcogenide glassy semiconductor memory matrix |
|
| Description |
Розглянуто проблеми створення енергонезалежних цифрових пристроїв зберігання інформації на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника. Запропоновано структурні схеми двовимірної та тривимірної матриці пам’яті. Вказані недоліки та переваги кожного виду матриці. Описано режим роботи тривимірної матриці, яку рекомендовано до застосування у реальних пристроях.
In this paper the problems of creating nonvolatile digital storage devices based on chalcogenide vitreous semiconductor are discussed. A structural scheme of two-dimensional and three-dimensional matrix of memory are offered. Advantages and disadvantages of each type of matrix are considered also. We describe three-dimensional matrix mode, which is recommended for use in real devices. |
|
| Date |
2017-07-13T22:49:37Z
2017-07-13T22:49:37Z 2017 |
|
| Type |
Thesis
|
|
| Identifier |
Слободян І. Організація та структура матриць пам’яті на базі ХСН [Електронний ресурс] / І. Слободян // Матеріали XLVI науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 22-24 березня 2017 р. - Електрон. текст. дані. - 2017. - Режим доступу : https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2017/paper/view/2418.
https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2017/paper/view/2418 http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/17480 621.397 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Relation |
Матеріали XLVI науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 22-24 березня 2017 р.
|
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Publisher |
ВНТУ
|
|