Сили зображення між близько розділеними діелектриками
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Сили зображення між близько розділеними діелектриками
|
|
| Creator |
Горайчук, Т.В.
Ільченко, Л.Г. |
|
| Subject |
Моделювання процесів на поверхні твердих тіл
|
|
| Description |
Показано, що в системі двох діелектриків (власних напівпровідників), які розділені малим вакуумним проміжком, коректне врахування ефектів просторової дисперсії призводить до неперервного розподілу потенціалу сил зображення на межах розподілу, що дозволяє коректно врахувати зарядовий стан поверхонь в рамках запропонованої моделі (реальні та гідроксильовані поверхні кремнезему).
It is shown that the correct accounting of the space dispersion effects in the dielectrics (the intrinsical semiconductors) separated by a small vacuum interval leads to continuity of the image potential at the interfaces, making it possible to consider the charged state (microscopic structure) of the dielectric surfaces within the framework of the proposed model (real and hydroxylated silica surfaces). |
|
| Date |
2019-02-08T11:12:02Z
2019-02-08T11:12:02Z 2003 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Сили зображення між близько розділеними діелектриками / Т.В. Горайчук, Л.Г. Ільченко // Поверхность. — 2003. — Вип. 9. — С. 11-17. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.
2617-5975 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146187 539.2.01 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Поверхность
|
|
| Publisher |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
|
|