Гальваномагнітні властивості кристалів і тонких плівок телуриду свинцю, легованого натрієм
Цифровой репозитарии Национального технического университета "Харьковский политехнический институт" (eNTUKhPIIR)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Гальваномагнітні властивості кристалів і тонких плівок телуриду свинцю, легованого натрієм
Galvanomagnetic properties of crystals and thin films of lead telluride doped with sodium |
|
| Creator |
Ольховська, Світлана Іванівна
Водоріз, О. Щуркова, Н. Рогачова, Олена Іванівна |
|
| Subject |
телурид свинцю
полікристали легування натрій нестехіометрія тонка плівка електропровідність коефіцієнт Холла рухливість носіїв заряду lead telluride polycrystals doping sodium nonstoichiometry composition thin film electrical conductivity Hall coefficient charge carrier mobility |
|
| Description |
Досліджено вплив легування натрієм та відхилу від стехіометрії при легуванні натрієм на гальваномагнітні властивості полікристалів телуриду свинцю в інтервалі температур 77–300 К. Показано, що введення у PbTe як домішкових, так і власних дефектів приводить до значного зниження рухливості носіїв заряду (дірок) внаслідок збільшення внеску розсіяння на дефектах кристалічної структури. Встановлено, що в епітаксіальних тонких плівках, які одержано методом термічного випаровування у вакуумі кристалів PbTe, можна досягти концентрації дірок до p77~5×1019 см-3 і значно підвищити рухливість носіїв заряду у порівнянні з масивним кристалом. The influence of doping with sodium and deviation from stoichiometry under doping with sodium on the galvanomagnetic properties of lead telluride polycrystals was studied in the temperature range 77-300 K. It was shown that the introduction of both impurity and native defects into PbTe leads to a significant decrease in charge carrier (hole) mobility due to an increased contribution of scattering by defects of the crystal structure. It was established that in epitaxial thin films prepared by thermal evaporation of PbTe crystals in vacuum, one can attain hole concentration up to p77~5×1019 cm-3 and substantially increase charge carrier mobility in comparison with bulk crystals. |
|
| Date |
2019-02-07T08:59:18Z
2019-02-07T08:59:18Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Гальваномагнітні властивості кристалів і тонких плівок телуриду свинцю, легованого натрієм / С. І. Ольховська [та ін.] // Вісник Львівського університету. Серія фізична : зб. наук. пр. – Львів : ЛНУ ім. І. Франка, 2010. – Вип. 45. – С. 165-170.
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/39538 |
|
| Language |
uk
|
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Publisher |
Львівський національний університет ім. Івана Франка
|
|