Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником
|
|
Creator |
Ільченко, Л.Г.
Лобанов, В.В. |
|
Subject |
Теория химического строения и реакционной способности поверхности
|
|
Description |
В наближенні нелокальної електростатики проведено розрахунки структурного потенціалу ∆Vst(r) в вакуумній щілині товщиною , якою розділені метал та напівпровідник, у випадку квазінейтральних їх поверхонь з двома типами впорядкованих поверхневих граток. Показано, що структурний потенціал ∆Vst(r), який є суперпозицією вкладів, обумовлених мікроскопічними структурами кожної з двох поверхонь, є несиметричним і формує латеральну (вздовж меж поділу) зміну сумарного потенціалу V(r) у вакуумній щілині. Збільшення амплітуди ∆Vst(r) пов’язане зі зменшенням відстані між напівпровідником та металом, а також зі зниженням концентрації вільних електронів в металі. With in the framework of a non-local electrostatics, the structure component ∆Vst(r) has been calculated in the vacuum interval between a metal and a semiconductor with the quasi-neutral surfaces of two types of well-organized superficial lattices. It has been shown that structural potential ∆Vst(r), which is a superposition of the microscopic structures of both surfaces, is asymmetrical and stipulates a lateral (along the interfaces) change in the total potential barrier V(r) in the vacuum gap. The increase ∆Vst(r) (amplitudes) is related to decrease in the distance between semiconductor and metal as well as with decrease in the free electrons concentration in the metal. |
|
Date |
2019-02-10T17:38:23Z
2019-02-10T17:38:23Z 2008 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником / Л.Г. Ільченко, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 43-51. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.
2617-5975 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146674 539.2.01 |
|
Language |
uk
|
|
Relation |
Поверхность
|
|
Publisher |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
|
|