Модель токопереноса в гетероструктуре аморфный - монокристаллический кремний
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Модель токопереноса в гетероструктуре аморфный - монокристаллический кремний
|
|
| Creator |
Быков, М. А.
Слипченко, Н. И. Зуев, С. А. |
|
| Subject |
фотопреобразование
монокристаллический кремний |
|
| Description |
n this paper the results of numerical researches of carrier’s transitions processes in structures on the heterojunction amorphous - monocrystalline silicon are presented and analyzed. В настоящее время большое внимание уделяется способам получения энергии, поступающей от Солнца, путем фотопреобразования. Существенным фактором, ограничивающим возможности получения энергии данного типа, является высокая стоимость технологического процесса и экологическая проблема при производстве преобразователей с высокой эффективностью фотопреобразования.
|
|
| Date |
2016-07-07T11:57:19Z
2016-07-07T11:57:19Z 2010 |
|
| Type |
Conference proceedings
|
|
| Identifier |
Быков, М .А. Модель токопереноса в гетероструктуре аморфный - монокристаллический кремний / М. А. Быков, Н. И. Слипченко, С. А. Зуев // Функциональная компонентная база микро-, опто- и наноэлектроники : сб. науч. тр. ІІІ Междунар. науч. конф., 28 сент. – 2 окт. 2010 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2010. – С. 245-247
http://openarchive.nure.ua/handle/document/1374 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
ХНУРЭ
|
|