Расчет параметров нелинейности характеристик биполярных транзисторов при нелинейной локации полупроводниковых приборов
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Расчет параметров нелинейности характеристик биполярных транзисторов при нелинейной локации полупроводниковых приборов
|
|
| Creator |
Чумаков, В. І.
|
|
| Subject |
Ключевые слова: Нелинейность, биполярный транзистор, вольтамперная характеристика, крутизна, гармоника тока.
|
|
| Description |
Литература: 1. Хорошко В. А., Чекатков А. А. Методы и средства защиты информации. – К.: Изд-во Юниор, 2003.–504 с. 2. Маллер Р., Кеймингс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. – М.: Мир, 1989. – 630с. 3. Радиоприемные устройства / Под ред. Г. Д. Заварина. – М.: Воениздат, 1973. – 423 с. 4. Приймання та оброблення сигналів: Навчальний посібник для студентів усіх форм навчання напряму „Радіотехніка” / За заг. ред. В. І. Чумакова, Харків: ХНУРЕ.– 2006. – 296 с. 5. Анищенко В. С. Стохастический резонанс как индуцированный шумом эффект увеличения степени порядка / Анищенко В. С., Нейман В. Б., Мосс Ф., Шиманский–Гайер Л. // Успехи физических наук.–1999. – Т. 169. – № 1. – с. 7 – 37. 6. Харченко О. И. К расчету отклика нелинейной системы с памятью с применением рядов Вольтерра / О. И. Харченко, В. И. Чумаков, В. Л. Склярук // Зб. наук. праць Академії ВМС ім. П. С. Нахімова. – 2010. № 3(3). – с. 110 – 115. Анотація: Наведено результати аналізу вольтамперних характеристик (ВАХ) біполярних транзисторів та отримано вирази для параметрів нелінійності. Показано можливість розрахунку режиму транзистора, за якого отримуються певні значення параметрів нелінійності. Розглянуто перспективи використання отриманих результатів в системах технічного захисту інформації. Summary: Analysis results of volt-ampere characteristics (VAC) of bipolar transistors are shown and expressions are got for the parameters of non-linearity. Possibility of calculation of the regime of transistor which the defined values of parameters of non-linearity turn out for is shown. Perspectives of results using in systems of information defence are observed. |
|
| Date |
2018-01-17T13:58:41Z
2018-01-17T13:58:41Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Правове, нормативне та метрологічне забезпечення системи захисту інформації в Україні, 2(21) вип., 2010 р.
http://openarchive.nure.ua/handle/document/4213 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Правове, нормативне та метрологічне забезпечення системи захисту інформації в Україні, 2(21) вип., 2010 р.;
|
|
| Publisher |
Правове, нормативне та метрологічне забезпечення системи захисту інформації в Україні, 2(21) вип., 2010 р.
|
|