Влияние структурных и электрофизических параметров активной области резонанснотуннельного диода на его вольт-амперную характеристику
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Влияние структурных и электрофизических параметров активной области резонанснотуннельного диода на его вольт-амперную характеристику
|
|
Creator |
Ибадуллин, М. М.
Пащенко, А. Г. |
|
Subject |
твердотельная электроника
рабочая частота пролетное время электрона |
|
Description |
Миниатюризация элементной базы твердотельной электроники постепенно подходит к своей природной границе. Перспективным способом решения этой проблемы является разработка элементной базы, компоненты которой работали бы благодаря, квантово – размерным эффектам.
|
|
Date |
2018-03-23T13:51:20Z
2018-03-23T13:51:20Z 2016 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Ибадуллин М. М. Влияние структурных и электрофизических параметров активной области резонанснотуннельного диода на его вольт-амперную характеристику / М. М. Ибадуллин, А. Г. Пащенко // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – 2016. – Вып. 184. – С. 170 – 177.
http://openarchive.nure.ua/handle/document/4393 |
|
Language |
ru
|
|
Publisher |
ХНУРЭ
|
|