Расчет оптимальной структуры фотопреобразователя (p)-a-Si:H/(n)-c-Si с помощью аналитической модели
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Расчет оптимальной структуры фотопреобразователя (p)-a-Si:H/(n)-c-Si с помощью аналитической модели
|
|
| Creator |
Галат, А. Б.
|
|
| Subject |
вольтамперная характеристика
фотопреобразователь гетеропереход (p)-a-Si:H/(n)-c-Si |
|
| Description |
Аналитическая модель гетероперехода (p)-a-Si:H/(n)-c-Si, основанная на диффузионном механизме переноса электронов и дырок, используется для расчета электрических характеристик при наличии солнечного освещения. Компьютерное моделирование выполнено для получения оптимальной структуры слоев перехода. Расчетные соотношения позволяют учесть влияние конструктивных и технологических факторов на вольтамперную характеристику и основные параметры фотопреобразователя
|
|
| Date |
2018-04-03T12:15:15Z
2018-04-03T12:15:15Z 2015 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Галат А. Б. Расчет оптимальной структуры фотопреобразователя (p)-a-Si:H/(n)-c-Si с помощью аналитической модели / А. Б. Галат // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – 2015. – Вып. 180. – С. 19 – 24.
http://openarchive.nure.ua/handle/document/4573 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
ХНУРЭ
|
|