Расчет спектральной зависимости края собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Расчет спектральной зависимости края собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон
|
|
| Creator |
Сологуб, О. Ю.
|
|
| Subject |
оптический спектр
энергетическая зона |
|
| Description |
Целью работы является численное исследование зависимости края собственного поглощения полупроводниковых материалов А3В5 на примере GaAs от концентрации примесей. In this work presented a model for the calculation the spectral dependence of the intrinsic absorption edge of semiconductor solid solutions with a direct energy band structure at the example of GaAs. It can be used in mathematical models that describe the work of photoelectric converters.
|
|
| Date |
2018-07-17T11:10:31Z
2018-07-17T11:10:31Z 2010 |
|
| Type |
Conference proceedings
|
|
| Identifier |
http://openarchive.nure.ua/handle/document/6588
|
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
ХНУРЭ
|
|