Модель распределения электронных состояний для определения спектра оптического поглощения
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Модель распределения электронных состояний для определения спектра оптического поглощения
|
|
| Creator |
Пащенко, А. Г.
Сологуб, О. Ю. Вербицкий, В. Г. |
|
| Description |
In this paper we investigate the possibility of an analytical approximation of the density of electronic states and optical absorption, which take into consideration for the main features of amorphous silicon and devices based on it. В настоящее время на основе аморфного кремния (a-Si) создано значительное число различных электронных приборов (солнечные элементы, транзисторы, фотодатчики и т.д.). При моделировании этих приборов очень важно знать функцию плотности электронных состояний, которая определяет оптические, электрические и фотоэлекрические свойства a-Si, а, значит, и параметры приборов. Функции плотности электронных состояний и связанные с ними функции оптического поглощения аморфного кремния, использующиеся в расчетах, недостаточно точно описывают экспериментальные данные. Поэтому актуальным все еще является аналитическое описание данных функций.
|
|
| Date |
2018-07-18T11:37:57Z
2018-07-18T11:37:57Z 2011 |
|
| Type |
Conference proceedings
|
|
| Identifier |
Пащенко А. Г. Модель распределения электронных состояний для определения спектра оптического поглощения / А. Г. Пащенко, О. Ю. Сологуб, В. Г. Вербицкий // Функциональная база наноэлектроники : сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., 30 сент. – 3 окт. 2011 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2011. – С. 82–85
http://openarchive.nure.ua/handle/document/6605 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
ХНУРЭ
|
|