Кинетика фотопроводимости c-Si с аморфными неоднородностями
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Кинетика фотопроводимости c-Si с аморфными неоднородностями
|
|
| Creator |
Бабыченко, О. Ю.
Пащенко, А. Г. |
|
| Subject |
фотопроводимость структуры
фотопроводимость кристаллического кремния аморфная матрица |
|
| Description |
Теоретически исследовано влияние на фотопроводимость кристаллического кремния аморфных вкраплений цилиндрической формы при воздействии излучения из области фоточувствительности исследуемой структуры. Проанализирована фотопроводимость структуры в зависимости от геометрических размеров вкраплений, их расположения в структуре и скоростью поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда. Установлено, что при увеличении доли вкраплений в структуре процессы генерации неравновесных носителей заряда определяются, главным образом, аморфной матрицей. Выявлено возникновения при определенных условиях эффекта отрицательной фотопроводимости.
|
|
| Date |
2018-07-18T11:39:27Z
2018-07-18T11:39:27Z 2017 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Бабыченко О. Ю. Кинетика фотопроводимости c-Si с аморфными неоднородностями / О. Ю. Бабыченко, А. Г. Пащенко // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – 2017. – Вып. 190. – С. 36 – 43
http://openarchive.nure.ua/handle/document/6608 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
ХНУРЭ
|
|