Аналитическая модель гетероперехода a-Si:h/c-Si солнечного элемента
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Аналитическая модель гетероперехода a-Si:h/c-Si солнечного элемента
|
|
| Creator |
Галат, А. Б.
|
|
| Subject |
фотопреобразователь
аналитическая модель гетеропереход |
|
| Description |
The given work is devoted to investigation and research of analytical model of a-Si:H/c-Si heterojunction, used in solar cells. The model based on diffusion electron/hole motion mechanism. The analytical expressions of voltage-current characteristics are presented. Computer simulations have been carried out in order to attempt the optimal configuration of layer structure. The influence of doping concentrations level of both a-Si:H and c-Si layer on the current density is also calculated.
|
|
| Date |
2018-07-24T08:42:45Z
2018-07-24T08:42:45Z 2013 |
|
| Type |
Thesis
|
|
| Identifier |
Галат А. Б. Аналитическая модель гетероперехода a-Si:h/c-Si солнечного элемента / А. Б. Галат // 6-я Международная научная конференция «Функциональная база наноэлектроники». Сб. науч. трудов. – Харьков: ХНУРЭ, 2013. – С.241–244.
http://openarchive.nure.ua/handle/document/6644 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
ХНУРЕ
|
|