К особенностям проникновения электрического поля в полупроводники
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
К особенностям проникновения электрического поля в полупроводники
|
|
| Creator |
Спицын, А. И.
Ванцан, В. М. |
|
| Subject |
поликристаллический образец
глубина проникновения электрического поля |
|
| Description |
Проводится расчет численной меры проникновения постоянного электрического поля в полупроводники. Определяется и анализируется зависимость глубины проникновения электрического поля, где найдено наличие максимума. Для поликристаллического образца оценивается средняя разность потенциалов между соседними кристаллитами.
|
|
| Date |
2018-11-20T11:20:53Z
2018-11-20T11:20:53Z 1998 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Спицын А. И. К особенностям проникновения электрического поля в полупроводники / Спицын А. И., Ванцан В. М. // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 1998. – Вып. 2. – С. 36-38.
http://openarchive.nure.ua/handle/document/7303 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
ХНУРЭ
|
|