Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺
|
|
| Creator |
Павленко, В.И.
Марченко, И.Г. |
|
| Subject |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
|
|
| Description |
Методами компьютерного моделирования исследованы профили образования точечных дефектов в зависимости от угла падения ионов при облучении поверхности ниобиевой наноструктурной пленки ионами Ti⁺. Энергия падающих ионов Е изменялась в интервале 0,5…2,0 кэВ, угол падения варьировался от 0 до 80°. Получены угловые зависимости профилей распределения вакансий и межузельных атомов. Показано, что существует интервал углов падающих ионов, при котором наблюдаются максимальные значения концентраций вакансий и межузельных атомов
Методами комп'ютерного моделювання досліджені профілі утворення точкових дефектів залежно від кута падіння іонів при опроміненні поверхні ніобієвої наноструктурної плівки іонами Tii⁺. Енергія Е іонів, що падають, змінювалася в інтервалі 0,5…2,0 кэВ, кут падіння варіювався від 0 до 80°. Отримані кутові залежності профілів розподілу вакансій і міжвузольних атомів. Показано, що існує інтервал кутів іонів, що падають, в якому спостерігаються максимальні значення концентрацій вакансій і міжвузольних атомів. In the work of computer modeling methods, the profiles of the formation of point defects are studied as a function of the angle of incidence of ions upon irradiation of the surface of a niobium nanostructured film with Ti⁺ ions. The energy E of the incident ions varied in the energy range from 0.5 to 2.0 keV, the angle of incidence varied from 0 to 80°. Angular dependences of the profiles of the distribution of vacancies and interstitial atoms were obtained. It is shown that there exists an interval of angles of incident ions at which the maximum values of vacancy concentrations and interstitial atoms are observed. |
|
| Date |
2019-02-13T10:35:21Z
2019-02-13T10:35:21Z 2018 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ / В.И. Павленко, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 2. — С. 3-7. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.
1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/147028 539.534.9:523.23 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Вопросы атомной науки и техники
|
|
| Publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
|
|