Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)
|
|
Creator |
Ткачук, О.І.
Теребінська, М.І. Лобанов, В.В. |
|
Subject |
Теорія хімічної будови і реакційної здатності поверхні
|
|
Description |
Методом ТФГ (B3LYP, 6-31G**) розрахована рівноважна просторова будова кластера Si₉₆H₈₄, який моделює фрагмент релаксованої поверхні Si(001)(4×2), а також адсорбційних комплексів атомів Ge і димера Ge₂ на грані Si(001). Визначені типи активних центрів грані Si(001)(4×2), на яких відбувається адсорбція атомарного германію і димера Ge₂, а також енергії утворень відповідних поверхневих сполук.
Методом ТФП (B3LYP, 6-31G**) рассчитано равновесное пространственное строение кластера Si₉₆H₈₄, воспроизводящего фрагмент релаксированной поверхности Si(001)(4×2), а также адсорбционных комплексов атомов Ge и димера Ge₂ на грани Si(001). Определены типы активных центров грани Si(001)(4×2), по которым происходит адсорбция атомарного германия и димера Ge₂, а также энергии образования поверхностных соединений. DFT method (B3LYP, 6-31G**) calculated equilibrium spatial cluster structure Si₉₆H₈₄, relaxed fragment reproducing the Si(001) (4×2), and adsorption complexes Ge atoms and dimer by Ge₂ face Si (001). Determination of types of active centers face Si(001) (4×2), in which there is a germanium atomic adsorption and dimer Ge₂ and the energy of formation of the corresponding complexes. |
|
Date |
2019-02-16T10:08:09Z
2019-02-16T10:08:09Z 2013 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001) / О.І. Ткачук, М.І. Теребінська, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2013. — Вип. 5 (20). — С. 26-33. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.
2617-5975 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/147871 54118:544.72 |
|
Language |
uk
|
|
Relation |
Поверхность
|
|
Publisher |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
|
|