Запис Детальніше

Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)
 
Creator Ткачук, О.І.
Теребінська, М.І.
Лобанов, В.В.
 
Subject Теорія хімічної будови і реакційної здатності поверхні
 
Description Методом ТФГ (B3LYP, 6-31G**) розрахована рівноважна просторова будова кластера Si₉₆H₈₄, який моделює фрагмент релаксованої поверхні Si(001)(4×2), а також адсорбційних комплексів атомів Ge і димера Ge₂ на грані Si(001). Визначені типи активних центрів грані Si(001)(4×2), на яких відбувається адсорбція атомарного германію і димера Ge₂, а також енергії утворень відповідних поверхневих сполук.
Методом ТФП (B3LYP, 6-31G**) рассчитано равновесное пространственное строение кластера Si₉₆H₈₄, воспроизводящего фрагмент релаксированной поверхности Si(001)(4×2), а также адсорбционных комплексов атомов Ge и димера Ge₂ на грани Si(001). Определены типы активных центров грани Si(001)(4×2), по которым происходит адсорбция атомарного германия и димера Ge₂, а также энергии образования поверхностных соединений.
DFT method (B3LYP, 6-31G**) calculated equilibrium spatial cluster structure Si₉₆H₈₄, relaxed fragment reproducing the Si(001) (4×2), and adsorption complexes Ge atoms and dimer by Ge₂ face Si (001). Determination of types of active centers face Si(001) (4×2), in which there is a germanium atomic adsorption and dimer Ge₂ and the energy of formation of the corresponding complexes.
 
Date 2019-02-16T10:08:09Z
2019-02-16T10:08:09Z
2013
 
Type Article
 
Identifier Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001) / О.І. Ткачук, М.І. Теребінська, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2013. — Вип. 5 (20). — С. 26-33. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.
2617-5975
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/147871
54118:544.72
 
Language uk
 
Relation Поверхность
 
Publisher Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України