Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
Институционный репозиторий Киевского университета имени Бориса Гринченко
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Relation |
http://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/26415/
http://journal-spqeo.org.ua/n4_2018/P360-364abstr.html |
|
| Title |
Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
Тонкі плівки оксиду диспрозію, утворені при швидкому термічному відпалі на пористих підкладках SiC |
|
| Creator |
Bacherikov, Yu.Yu
Konakova, R.V. Okhrimenko, O.B. Berezovska, N.I. Lytvyn, O.S. Kapitanchuk, L.M. Svetlichnyi, A.M. |
|
| Subject |
Web of Science
|
|
| Description |
In this paper, we consider the effect of rapid thermal annealing (RTA) on the properties of Dy2O3 film formed on the surface of a substrate with a por-SiC/SiC structure. The atomic composition of the films under study was analyzed as a function of the RTA time. It is shown that the RTA method makes it possible to obtain thin Dy oxide films with a composition close to the stoichiometric one. In this case, an increase in the RTA time leads to improving the quality of film-substrate interface and increasing the optical transmission of Dy2O3/por-SiC/SiC structure
У цій роботі розглянуто вплив швидкого термічного відпалу (ШТВ) на властивості плівки Dy2O3, що утворюється на поверхні підкладки зі структурою por-SiC/SiC. Атомний склад досліджуваних плівок аналізували як функцію часу ШТВ. Показано, що метод ШТВ дозволяє отримувати тонкі плівки оксиду диспрозію зі складом, близьким до стехіометричного. У цьому випадку збільшення часу ШТВ призводить до поліпшення якості межі поділу плівка-підкладка і до збільшення оптичного пропускання структури Dy2O3/por-SiC/SiC. |
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|
| Date |
2018-12-03
|
|
| Type |
Стаття
PeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
|
|
| Identifier |
http://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/26415/1/Yu_Bacherikov_O_Lytvyn_SPQEO_2018_v21_FITU.pdf
Bacherikov, Yu.Yu та Konakova, R.V. та Okhrimenko, O.B. та Berezovska, N.I. та Lytvyn, O.S. та Kapitanchuk, L.M. та Svetlichnyi, A.M. (2018) Тонкі плівки оксиду диспрозію, утворені при швидкому термічному відпалі на пористих підкладках SiC Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (4). с. 360-364. ISSN 1560-8034 |
|