Зміна провідності структур «пористий кремній з наночастинками срібла — кремній» при детектуванні перекису водню
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Зміна провідності структур «пористий кремній з наночастинками срібла — кремній» при детектуванні перекису водню
|
|
| Creator |
Кутова, О.Ю.
Душейко, М.Г. Лобода, Б.О. Обухова, Т.Ю. |
|
| Subject |
Сенсоэлектроника
|
|
| Description |
Досліджено механізми зміни провідності структур «пористий кремній з наночастинками срібла — кремній» найпростіших резистивних сенсорів під впливом перекису водню. Показано, що зміна провідності сенсора під час розкладу перекису водню в присутності наночастинок срібла відбувається за рахунок двох конкуруючих процесів — екстракції електронів з об’єму кремнію у пористий кремній та розігріву структури в результаті реакції розкладу перекису водню.
Исследовано влияние концентрации перекиси водорода на проводимость системы «пористый кремний с наночастицами серебра — кремний». Пористый слой был образован двухстадийным химическим травлением в присутствии металлов с наночастицами Ag. С целью изучения процессов, происходящих в пористом слое при детектировании перекиси водорода, был использован простой резистивный сенсор, в котором наночастицы серебра выполняли роль катализатора. The authors investigate the influence of hydrogen peroxide concentration on the conductivity of the porous silicon with silver nanoparticles / crystalline silicon system. A simple resistive sensor with Ag nanoparticles was used as a catalyst in order to study processes occuring in porous silicon during hydrogen peroxide detection. Porous silicon was formed using a two-stage metal-assisted chemical etching with Ag nanoparticles. |
|
| Date |
2019-04-03T18:27:03Z
2019-04-03T18:27:03Z 2018 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Зміна провідності структур «пористий кремній з наночастинками срібла — кремній» при детектуванні перекису водню / О.Ю. Кутова, М.Г. Душейко, Б.О. Лобода, Т.Ю. Обухова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 28-32. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.
2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.4.28 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150275 620.3 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|