Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
|
|
| Creator |
Каримов, А.В.
Рахматов, А.З. Абдулхаев, О.А. Арипова, У.Х. Хидирназарова, А.Ю. Кулиев, Ш.М. |
|
| Subject |
СВЧ-техника
|
|
| Description |
Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической обработки уменьшаются как прямое падение напряжения, так и ток утечки, создавая условия для увеличения выдерживаемой импульсной мощности.
Робота присвячена вивченню впливу радіаційного опромінення та подальшої термічної обробки на вольт-амперні та ємнісні характеристики високочастотних кремнієвих діодів. Досліджувалися діоди з р+—р—n—n+-структурою, виготовлені з пластин кремнію КЕФ-4 n-типу провідності вихідною товщиною 235 мкм. Радіаційну обробку проводили на лінійному прискорювачі електронів ЕЛУ-6. This paper is devoted to studying the effect of radiation exposure and subsequent heat treatment on the current-voltage and capacitance characteristics of high-frequency silicon diodes.The authors studied p+–p–n–n+ diodes made of n-type KEF-4 (КЭФ-4) silicon wafers with an initial thickness of 235 μm. Radiation processing was performed using an ELU-6 (ЭЛУ-6) linear electron accelerator. |
|
| Date |
2019-04-03T18:31:27Z
2019-04-03T18:31:27Z 2018 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки / А.В. Каримов, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, У.Х. Арипова, А.Ю. Хидирназарова, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.4.33 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150276 621.315.592.2:546.681'19 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|