Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
|
|
| Creator |
Ковалюк, Т.Т.
Майструк, Э.В. Солован, М.Н. Козярский, И.П. Марьянчук, П.Д. |
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
Представлены результаты исследований кинетических свойств кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ Также исследованы электрические свойства и установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях анизотипных гетеропереходов n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnSe₄ , изготовленных методом магнетронного осаждения тонких пленок TiO₂ на подложки из кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ .
У даній роботі представлено результати досліджень кінетичних властивостей кристалів Cu₂ZnSnSe₄ створено анізотипні гетеропереходи n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnSe₄, визначено їх основні електричні параметри та побудовано енергетичну діаграму. У даній роботі представлено результати досліджень кінетичних властивостей кристалів Cu₂ZnSnSe₄ створено анізотипні гетеропереходи n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnSe₄, визначено їх основні електричні параметри та побудовано енергетичну діаграму. |
|
| Date |
2019-04-03T19:10:49Z
2019-04-03T19:10:49Z 2018 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе / Т.Т. Ковалюк, Э.В. Майструк, М.Н. Солован, И.П. Козярский, П.Д. Марьянчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 37-43. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.5-6.37 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150287 621.315.592 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|