Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
|
|
| Creator |
Трубаева, О.Г.
Чайка, М.А. |
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
Исследованы смешанные кристаллы ZnSxSe₁₋x разного состава (х = 0,07—0,39), выращенные методом Бриджмена — Стокбаргера.
У даній роботі досліджено вплив вмісту сірки на оптичну ширину забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe₁₋x.Зразки для досліджень були вирощені методом Бріджмена — Стокбаргера в графітових тиглях діаметром 25 мм в атмосфері аргону (PAr = 2∙106 Па) за температури від 1870 до 2000 К залежно від складу вихідної шихти. The effect of sulfur content on the optical width of the band gap in mixed crystals ZnSxSe₁₋x is investigated in this paper.The test samples for this study were grown by Bridgman-Stockbarger in graphite crucibles with the diameter of 25 mm in the Ar atmosphere (PAr = 2∙106 Pa) at a temperature from 1870 to 2000 K, depending on the composition of the initial raw materials. |
|
| Date |
2019-04-03T19:26:13Z
2019-04-03T19:26:13Z 2018 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x / О.Г. Трубаева, М.А. Чайка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 44-49. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.
2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.5-6.44 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150288 535-34; 535-36 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|