Сравнительный анализ зонных структур GaN и InN
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Сравнительный анализ зонных структур GaN и InN
|
|
| Creator |
Ибадуллин, М. М.
Пащенко, А. Г. |
|
| Subject |
Зонные структуры
|
|
| Description |
Among the complex semiconductor compounds the first place on the frequency of use in electronic devices occupy a double (binary) semiconductors connections of type of AIIIBV, which form the basis for optoelectronics and high-speed microwave – devices.
|
|
| Date |
2019-04-17T11:03:26Z
2019-04-17T11:03:26Z 2017 |
|
| Type |
Thesis
|
|
| Identifier |
Ибадуллин М. М. Сравнительный анализ зонных структур GaN и InN / М. М. Ибадуллин, А. Г. Пащенко // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : зб. тез. доп. ХХI Харків. конф. молодих науковців, 25–27 квіт. 2017 р. – Харків, 2017. – С. 27.
http://openarchive.nure.ua/handle/document/8389 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
ХНУРЕ
|
|