Запис Детальніше

Si wires for strain sensor application

Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Si wires for strain sensor application
 
Creator Druzhinin, Anatoly
Ostrovskii, Igor
Palewski, Tomasz
Nichkalo, Stepan
Koretskyy, Roman
Berezhanskii, Yevgen
 
Subject InGa contacts
magnetoresistance
wires
strain sensors
 
Description Resistance and magnetoresistance of Si microwires were studied in temperature range 4,2-300 K at magnetic fields up to 14 T. Ga-In gates were created to wires and ohmic I-U characteristics were observed in all temperature range. It was found high elastic strain for Si wires, linear thermoresistive
characteristics as well as small magnitude of magnetoresistance (of about 5% at 14 T), which was used to design multifunctional
sensor of simultaneous measurements of strain and temperature with minimal sensitivity to magnetic field intensity.
 
Date 2012-08-23T08:56:12Z
2012-08-23T08:56:12Z
2012
 
Type Article
 
Identifier Druzhinin A. Si wires for strain sensor application / Anatoly Druzhinin, Igor Ostrovskii, Tomasz Palewski, Stepan Nichkalo, Roman Koretskyy, Yevgen Berezhanskii // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії TCSET'2012 : матеріали XI Міжнародної конференції, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012, Львів, Славське, Україна / Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України, Національний університет "Львівська політехніка". - Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 478-479. - Bibliography: 4 titles.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/13859
 
Language en
 
Publisher Національний університет "Львівська політехніка"