Определение параметров зонной энергетической структуры электронов в полупроводниковых катодах донорного типа
Наукові видання Харківського національного університету Повітряних Сил
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Определение параметров зонной энергетической структуры электронов в полупроводниковых катодах донорного типа
Визначення параметрів зонної енергетичної структури електронів у напівпровідникових катодах донорного типу The definition of zonal energy parameters of electrons structure in donor-type semiconductor cathod |
|
| Creator |
С.И. Планковский
С.І. Планковський S.I. Plankovskyy |
|
| Subject |
Радіотехніка, радіолокація, електроніка, зв'язок
УДК 621.3.032.213 катод, скандат бария, плотность тока, термоэмиссия, работа выхода электрона, полупроводник, зонная теория, донорный уровень катод, скандат барію, щільність струму, термоемісія, робота виходу електрона, напівпровідник, зонна теорія, донорний рівень cathode, barium skandat, current density, thermal emission, external work function of electron, semiconductor, zonal theory, donor-type level |
|
| Description |
В рамках квантово-механической зонной электронной структуры полупроводников рассмотрена возможность определения параметров энергетической диаграммы полупроводникового катода донорного типа. Показано, что введение в математическое моделирование экспериментальной зависимости плотности тока насыщения электронной эмиссии от температуры катода js (T) позволяет определить такие параметры как: внешнюю часть работы выхода электрона c, концентрацию электронов на донорном уровне Nd и энергию залегания донорного уровня в запрещенной зоне полупроводника Ed. Для оценки значения эффективной массы электрона в зоне проводимости по предложенной методике проведена обработка температурной зависимости плотности тока эмиссии катода на основе ВаО.
В рамках квантово-механічної зонної електронної структури напівпровідників розглянуто можливість визначення параметрів енергетичної діаграми напівпровідникового катоду донорного типу. Показано, що введення в математичне моделювання експериментальної залежності щільності струму насичення електронної емісії від температури js (T) для таких катодів дозволяє визначити такі параметри як: зовнішню частину роботи виходу електронаc, концентрацію електронів на донорному рівні Nd і енергію залягання донорного рівня в забороненій зоні напівпровідника Ed. Для оцінки ефективної маси електрона в с-зоні за запропонованою методикою проведено обробку температурної залежності щільності струму емісії катоду на основі ВаО. Within the framework of quantum mechanical area electronic structure of semiconductors the possibility of determination of power diagram parameters of donor-type semiconductor cathode is considered. It is shown that the introduction of experimental cathode temperature depentanizer of satiation current density of electronic emission js (T) in the mathematical simulation allows to define such parameters as: external work function of electron c, electrons concentration at donor-type level Nd and energy of donor-type level bedding in the restricted area of semiconductor Ed. For the estimation of electron effective mass value in the conductivity area based on the offered method, data handling of temperature dependence of emission current density of cathode foundation on BaO was carry out. |
|
| Publisher |
Харківський національний університет Повітряних Сил ім. І. Кожедуба
Харьковский национальный университет Воздушных Сил им. И. Кожедуба Kharkiv national Air Force University named after I. Kozhedub |
|
| Date |
2008
|
|
| Type |
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion Рецензована стаття |
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Identifier |
http://www.hups.mil.gov.ua/periodic-app/article/3832
|
|
| Source |
Збірник наукових праць Харківського національного університету Повітряних Сил. — 2008. — № 3(18). 47-51
Сборник научных трудов Харьковского национального университета Воздушных Сил. — 2008. — № 3(18). 47-51 Scientific Works of Kharkiv National Air Force University. — 2008. — № 3(18). 47-51 2073-7378 |
|
| Language |
rus
|
|
| Relation |
http://www.hups.mil.gov.ua/periodic-app/article/3832/zhups_2008_3_13.pdf
|
|