Запис Детальніше

Дослідження властивостей плівок індію (ІІІ) сульфіду, одержаних методом хімічного осадження

Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Дослідження властивостей плівок індію (ІІІ) сульфіду, одержаних методом хімічного осадження
Investigation ofindium (III) sulfide thin films properties obtained by chemichal bath techique
 
Creator Гладь, Р. І.
Гумінілович, Р. Р.
Шаповал, П. Й.
Стаднік, В. Є.
Ятчишин, Й. Й.
Hlad, R. I.
Guminilovych, R. R.
Shapoval, P. Y.
Stadnik, V. Y.
Yatchyshyn, Y. Y.
 
Contributor Національний університет “Львівська політехніка”
 
Subject тонкі плівки
хімічне осадження
сульфід індію
тіоацетамід
морфологія поверхні
thin films
chemical deposition
indium sulfide
thioacetamide
of the surface morphology
 
Description Синтезовано тонкі плівки сульфіду індію (ІІІ) методом хімічного осадження у
присутності ацетатної кислоти як регулятора рН і комплексоутворюючого реагента
одночасно та тіоацетаміду (CH3CSNH2) як сульфідизатора. Встановлено оптимальні
концентраційні співвідношення робочого розчину речовин, які реагують, значення тем-
ператури та часу осадження для синтезу плівок індію (ІІІ) сульфіду з відтворюваними
властивостями. Досліджено фазовий склад, оптичні властивості та морфологію поверхні
плівок. Проаналізовано вплив часу осадження на можливість утворення плівок сполуки In2S3 стехіометричного складу із задовільними оптичними параметрами, морфологією
поверхні та товщиною.
Indium (III) sulfide thin films were synthesized by chemical deposition in the presence of
acetate acid, as a pH regulator and complexing agent simultaneously and thioacetamide (CH3 CSNH2) as a sulfating agent. The optimal concentration ratios of the reagents in the
working solution, the value of temperature and the deposition time for the indium (III) sulfide
thin films synthesis with reproducible properties were established. The phase composition,
optical properties and surface morphology of obtained films were studied. The influence of the
deposition time on the formation of In2S3 thin films with stoichiometric composition with
satisfactory optical parameters, surface morphology and thickness was analyzed.
 
Date 2019-05-21T12:54:06Z
2019-05-21T12:54:06Z
2018-02-26
2018-02-26
 
Type Article
 
Identifier Дослідження властивостей плівок індію (ІІІ) сульфіду, одержаних методом хімічного осадження / Р. І. Гладь, Р. Р. Гумінілович, П. Й. Шаповал, В. Є. Стаднік, Й. Й. Ятчишин // Chemistry, Technology and Application of Substance. — Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2018. — Vol 1. — No 1. — P. 1–6.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/45008
Investigation ofindium (III) sulfide thin films properties obtained by chemichal bath techique / R. I. Hlad, R. R. Guminilovych, P. Y. Shapoval, V. Y. Stadnik, Y. Y. Yatchyshyn // Chemistry, Technology and Application of Substance. — Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2018. — Vol 1. — No 1. — P. 1–6.
 
Language uk
 
Relation Chemistry, Technology and Application of Substance, 1 (1), 2018
1. Revathi N. Synthesis and physical behaviour of In2S3 films / N. Revathi, P. Prathap, K. T. Ramakrishna Reddy // Applied Surface Science – 2008 – Vol. 254. – P. 5291–5298.
2. Pawar S. M. Recent status of chemical bath deposited metal chalcogenide and metal oxide thin films / S. M. Pawar, B. S. Pawar, J. H. Kim et. All // Curr. Appl. Phys., vol. 11(2), pp. 117–161, 2011.
3. Omelianovych А. Effect of post annealing on the characteristics of In2S3 buffer layer grown by chemical bath deposition on a CIGS substrate / A. Omelianovych, J. Hye Kim, L. Larina, B. Tae Ahn // Current Applied Physics. – 2015 –doi: 10.1016/j. cap.2015.08.019.
4. Likfroman, A. Mise en evidence d’une solution solide de type spinele dance le diagramme de phase du systeme In-S /A. Likfroman // J. Solid State Chemistry. – 1980. –Vol. 34. – P. 353–359.
5. Asenjo В. Properties of In2S3 thin films deposited onto ITO/glass substrates by chemical bath deposition / B. Asenjo, C. Guille, A. M. Chaparro, E. Saucedo, V. Bermudez, D. Lincot, J. Herreroa, M. T. Gutierrez // Journal of Physics and Chemistry of Solids. – 2010. – 71. – Р. 1629–1633.
6. Lokhande C. D. Chemical bath deposition of indium sulphide thin films: preparation and characterization / C. D. Lokhande, A. Ennaoui, P. S. Patil1, M. Giersig, K. Diesner, M. Muller, H. Tributsch // Thin Solid Films. – 1999. – 340. – P. 18–23.
7. Gopinath G. R. Influence of bath temperature on the properties of In2S3 films grown by chemical bath deposition / G. R. Gopinath, R. W. Miles, K. T. Ramakrishna Reddy // Energy procedia. – 2013. – Vol. 34. – P. 399–406.
8. Shang G. H., Kunze K., HampdenSmith M. J., Duesler E. N. Chem. Vapor Depos. 2(1996) 242.
9. Лурье Ю. Ю. Справочник по аналитической химии / Ю. Ю. Лурье. – М.: Химия, 1971. 10. Gao Z. Investigation on growth of In2S3 thin films by chemical bath deposition / Z. Gao, J. Liu, H. Wang // Materials Science in Semiconductor Processing. – 2012. – Vol. 15. – Р. 187–193.
1. Revathi N. Synthesis and physical behaviour of In2S3 films, N. Revathi, P. Prathap, K. T. Ramakrishna Reddy, Applied Surface Science – 2008 – Vol. 254, P. 5291–5298.
2. Pawar S. M. Recent status of chemical bath deposited metal chalcogenide and metal oxide thin films, S. M. Pawar, B. S. Pawar, J. H. Kim et. All, Curr. Appl. Phys., vol. 11(2), pp. 117–161, 2011.
3. Omelianovych A. Effect of post annealing on the characteristics of In2S3 buffer layer grown by chemical bath deposition on a CIGS substrate, A. Omelianovych, J. Hye Kim, L. Larina, B. Tae Ahn, Current Applied Physics, 2015 –doi: 10.1016/j. cap.2015.08.019.
4. Likfroman, A. Mise en evidence d’une solution solide de type spinele dance le diagramme de phase du systeme In-S /A. Likfroman, J. Solid State Chemistry, 1980. –Vol. 34, P. 353–359.
5. Asenjo V. Properties of In2S3 thin films deposited onto ITO/glass substrates by chemical bath deposition, B. Asenjo, C. Guille, A. M. Chaparro, E. Saucedo, V. Bermudez, D. Lincot, J. Herreroa, M. T. Gutierrez, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2010, 71, R. 1629–1633.
6. Lokhande C. D. Chemical bath deposition of indium sulphide thin films: preparation and characterization, C. D. Lokhande, A. Ennaoui, P. S. Patil1, M. Giersig, K. Diesner, M. Muller, H. Tributsch, Thin Solid Films, 1999, 340, P. 18–23.
7. Gopinath G. R. Influence of bath temperature on the properties of In2S3 films grown by chemical bath deposition, G. R. Gopinath, R. W. Miles, K. T. Ramakrishna Reddy, Energy procedia, 2013, Vol. 34, P. 399–406.
8. Shang G. H., Kunze K., HampdenSmith M. J., Duesler E. N. Chem. Vapor Depos. 2(1996) 242.
9. Lure Iu. Iu. Spravochnik po analiticheskoi khimii, Iu. Iu. Lure, M., Khimiia, 1971. 10. Gao Z. Investigation on growth of In2S3 thin films by chemical bath deposition, Z. Gao, J. Liu, H. Wang, Materials Science in Semiconductor Processing, 2012, Vol. 15, R. 187–193.
 
Rights © Національний університет „Львівська політехніка“, 2018
© Гладь Р. І., Гумінілович Р. Р., Шаповал П. Й., Стаднік В. Є., Ятчишин Й. Й., 2018
 
Format 1-6
6
application/pdf
image/png
 
Coverage Lviv
 
Publisher Lviv Politechnic Publishing House