Similarities and differences in the construction of dispersion laws for charge carriers in semiconductor crystals and adiabatic potentials in molecules
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Similarities and differences in the construction of dispersion laws for charge carriers in semiconductor crystals and adiabatic potentials in molecules
|
|
| Creator |
Bercha, S.A.
Rizak, V.M. |
|
| Description |
Using the group theory and the method of invariants, it is shown how the vibronic potential can be written in a matrix form and the corresponding adiabatic potentials can be found. The molecule having D₃d symmetry is considered herein as an example. The symmetries of normal vibrations active in Jahn-Teller's effect were defined. E-E vibronic interaction was considered to obtain vibronic potential energy in a matrix form and thus the adiabatic potential. Significant differences are shown in the construction of a secular matrix D(k) for defining a dispersion law for charge carriers in the crystals and the matrix of vibronic potential energy, which depends on the normal coordinates of normal vibrations active in Jahn-Teller's effect. Dispersion law of charge carriers in the vicinity of Γ point of Brillouin zone of the crystal with D₃d² symmetry was considered as an example.
У роботi показано як, використовуючи теоретико-груповий метод i метод iнварiантiв, можна одержати вiбронний потенцiал, записаний у матричному виглядi, та вiдповiднi адiабатичнi потенцiали. В якостi прикладу розглядається молекула з симетрiєю D₃d . Визначено симетрiю нормальних коливань, активних в ян-теллерiвському ефектi. Розглянуто E − E вiбронний зв’язок для одержання вiбронної потенцiальної енергiї у матричному виглядi та адiабатичний потенцiал. Вказано на iстотнi вiдмiнностi у побудовi секулярної матрицi D(~k) для знаходження закону дисперсiї електронного спектру в кристалах i матрицi вiбронної потенцiальної енергiї, залежної вiд нормальних координат активного в ян-теллерiвському ефектi нормального коливання. В якостi прикладу розглядується закон дисперсiї носiїв струму в околi точки Γ зони Брiллюена кристалу з симетрiєю D ² ₃d . |
|
| Date |
2019-06-14T10:41:28Z
2019-06-14T10:41:28Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Similarities and differences in the construction of dispersion laws for charge carriers in semiconductor crystals and adiabatic potentials in molecules / S.A. Bercha, V.M. Rizak // Condensed Matter Physics. — 2014. — Т. 17, № 2. — С. 23701:1-8. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.
1607-324X arXiv:1407.2427 DOI:10.5488/CMP.17.23701 PACS: 71.70.Ej, 71.20.-b, 61.50.Ah, 02.20.-a, 31.15.Hz http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/153508 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Condensed Matter Physics
|
|
| Publisher |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
|
|