Запис Детальніше

Spatial-temporal redistribution of point defects in three-layer stressed nanoheterosystems within the limits of self-assembled deformation-diffusion model

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Spatial-temporal redistribution of point defects in three-layer stressed nanoheterosystems within the limits of self-assembled deformation-diffusion model
 
Creator Peleshchak, R.M.
Kulyk, N.Ya.
Doroshenko, M.V.
 
Description The model of spatial-temporal distribution of point defects in a three-layer stressed nanoheterosystem GaAs/InxGa₁-xAs/GaAs considering the self-assembled deformation-diffusion interaction is constructed.
Побудовано модель просторово-часового розподiлу точкових дефектiв у тришаровiй напруженiй наногетеросистемi GaAs/InxGa₁-xAs/GaAs з врахуванням самоузгодженої деформацiйно-дифузiйної взаємодiї.
 
Date 2019-06-14T10:58:30Z
2019-06-14T10:58:30Z
2015
 
Type Article
 
Identifier Spatial-temporal redistribution of point defects in three-layer stressed nanoheterosystems within the limits of self-assembled deformation-diffusion model / R.M. Peleshchak, N.Ya. Kulyk, M.V. Doroshenko // Condensed Matter Physics. — 2015. — Т. 18, № 2. — С. 23602: 1–12. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.
1607-324X
PACS: 67.80.Mg, 68.55.Ln
DOI:10.5488/CMP.18.23602
arXiv:1506.03967
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/153567
 
Language en
 
Relation Condensed Matter Physics
 
Publisher Інститут фізики конденсованих систем НАН України