Spatial-temporal redistribution of point defects in three-layer stressed nanoheterosystems within the limits of self-assembled deformation-diffusion model
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Spatial-temporal redistribution of point defects in three-layer stressed nanoheterosystems within the limits of self-assembled deformation-diffusion model
|
|
Creator |
Peleshchak, R.M.
Kulyk, N.Ya. Doroshenko, M.V. |
|
Description |
The model of spatial-temporal distribution of point defects in a three-layer stressed nanoheterosystem GaAs/InxGa₁-xAs/GaAs considering the self-assembled deformation-diffusion interaction is constructed.
Побудовано модель просторово-часового розподiлу точкових дефектiв у тришаровiй напруженiй наногетеросистемi GaAs/InxGa₁-xAs/GaAs з врахуванням самоузгодженої деформацiйно-дифузiйної взаємодiї. |
|
Date |
2019-06-14T10:58:30Z
2019-06-14T10:58:30Z 2015 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Spatial-temporal redistribution of point defects in three-layer stressed nanoheterosystems within the limits of self-assembled deformation-diffusion model / R.M. Peleshchak, N.Ya. Kulyk, M.V. Doroshenko // Condensed Matter Physics. — 2015. — Т. 18, № 2. — С. 23602: 1–12. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.
1607-324X PACS: 67.80.Mg, 68.55.Ln DOI:10.5488/CMP.18.23602 arXiv:1506.03967 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/153567 |
|
Language |
en
|
|
Relation |
Condensed Matter Physics
|
|
Publisher |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
|
|